尼克森微電子推出MOSFET全新封裝元件PowerFET

尼克森微電子新世代PowerFET

為提高電腦的運算力，新一代的CPU整合更多的元件，帶來了更傑出的效能，但CPU對功耗的需求也相對提高，而必需使用更多與更優異的功率元件來支援。

隨著電源需求增加，在空間不能增加的前提下，供應商只能在提升功率元件的功率密度與效能上努力。針對此需求功率元件大廠尼克森微電子(NIKO)特別推出全新封裝技術的PowerFET系列產品，此系列產品僅使用3x3 mm²大小的封裝，能將晶片直接和特殊封裝外殼連接，藉由金屬外殼增加散熱面積並縮短散熱之路徑，大幅提升熱散逸的能力；同時，因將晶片直接和封裝外殼作連接，也大大的降低傳統封裝打線(Wire Bonding)所必然產生的打線阻抗。

另外在此PowerFET系列產品的晶片設計上，搭配使用新一代Low Gate Charge 結構元件製程技術，除了有更優異的晶片導通阻抗(R_DS(ON))外，在動態參數上也獲得改善，可有效降低交換損失(Switching Loss)，提升電源的轉換效率。

整體而言，PowerFET和傳統的DFN5x6封裝比較，封裝面積降低約70%，厚度降到0.5 mm，導通阻抗減少10%~30%以及顯著地減低從接面到外殼頂部的熱阻，有效降低MOSFET的表面溫度。

PowerFET 為尼克森微電子(NIKO)為了因應更為嚴苛的應用需求所開發的新一代功率元件，具優異的溫度散逸能力與低導通阻抗等電氣特性，符合目前各種電源應用及多數未來的電路系統設計需求。本系列產品已經自2018年下半開始量產供貨，因具備優異的特性與良好的性價比，受到不少客戶的青睞，目前正積極尋求產能的擴充，以滿足市場的需求。更多訊息請參見官網。