ST採用最新MDmesh V技術 在功率MOSFET晶片性能取得巨大突破
- 莊秀婷／台北
全球功率半導體產品供應商意法半導體(ST)在功率MOSFET晶片性能方面取得巨大突破，採用最新MDmesh V技術， 使ST新一代650V MOSFET應用緊湊型功率封裝，將RDS(ON)降到0.079Ω以下。這些產品的應用鎖定以小尺寸和低能耗為訴...
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