快捷半導體150V低RDS(ON) MOSFET 在隔離DC-DC應用中具更高性能

快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和最佳品質因數(Figure of Merit；FOM) (最大值17m Ohm * 33nCo)的150V MOSFET元件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低雜訊和緊湊的占位面積之MOSFET產品的需求。該元件利用快捷半導體先進的製程技術和封裝技術，以及系統專有技術，並採用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和發熱較少的特性。

FDMS86200採用遮罩柵極MOSFET技術設計，具有較低的開關雜訊和振鈴雜訊，有助於降低EMI。如果沒有這項專有功能，設計人員則需使用200V MOSFET元件，從而使得RDS(ON)增加一倍，降低整體效率。快捷半導體的FDMS86200 還擁有經改良的自體二極體 (body diode)，能夠藉由減少損耗來提升開關效能。

快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體擁有獨特的功能、製程和創新封裝及整體系統專有技術之組合，而其MOSFET產品系列具有廣泛的崩潰電壓範圍(20V-1000V)，以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進封裝技術，能夠推動電子製造商實現更出色的創新設計。