中國報復行動！禁止鎵、鍺材料出口 化合物半導體影響待觀察
- 何致中／台北
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中國商務部與海關總署3日晚間發布公告，經過中國國務院批准，為維護國安與利益，決定對鎵、鍺相關物項實施出口管制，相關措施自2023年8月1日起正式實施。
其中，鎵相關物項包括金屬鎵、氮化鎵（GaN）、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵（GaAs）、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵。鍺相關物項包括金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺。
其中，鎵相關物項的應用，半導體為大宗，據中媒報導，半導體估計佔鎵礦應用約80%以上，包括目前用於4G、5G智慧型手機通訊元件的功率放大器（PA）晶片，Wi-Fi模組內含PA、目前最主流的製程就是化合物半導體的砷化鎵製程，砷化鎵也被用來製作雷射光晶片。
而氮化鎵則是新興的第三類半導體材料，可應用於充電功率元件領域，以及高階射頻（RF）通訊領域，後續如衛星通訊、電動車快充等都是極具潛力的應用領域。
中媒引述公告指出，出口經營者應按照相關規定辦理出口許可手續，通過省級商務主管部門向商務部提出申請，填寫兩用物項和技術出口申請表及提交相關文件。商務部應當自收到出口申請檔之日起進行審查，或者會同有關部門進行審查，並在法定時限內作出准予或者不予許可的決定。
如企業未經許可出口、超出許可範圍出口或存在其他違法情形，由商務部或者海關等部門給予行政處罰。構成犯罪者，依法追究刑事責任。
綜合中國媒體、市場調查分析初步概況來看，中國截至2021年資料，鎵礦產量超過全球90%，2021年德國宣布重啟鎵礦生產，匈牙利、烏克蘭、哈薩克等紛紛停止生產鎵礦。
鎵是生產砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵及銅銦鎵硒的必要原料，下游應用範圍非常廣泛，包括大宗採用化合物半導體砷化鎵的RF晶片、半導體發光元件等，砷化鎵已經發展相對成熟，又被稱作是第二類半導體。舉凡5G、光通訊、光學元件應用如3D感測等，都採用砷化鎵製程晶片。
據產業相關人士觀察，中國鎵原料出口約佔全世界出口83%，目前，生產鎵產品主要有原生鎵與再生鎵，根據產品品質的不同，原生鎵分為粗鎵與精鎵。
相關業者據引用數據統計，全球生產粗鎵企業，主要分布在中國、日本、烏克蘭、哈薩克和加拿大等國，其中中國出產粗鎵產量約為470噸，佔全球產量的83%。
相關業者指出，生產粗鎵企業包括如中國的中國鋁業，烏克蘭尼古拉耶夫鋁廠（Nikolaev Alumina Refìner），哈薩克的巴甫洛達鋁廠（Pavlodar Alumina Plant）等。
全球精鎵的主要生產業者，分布在日本和美國。主要有日本同和礦業、美國世界鎵公司（GEO Specialty Chemicals）等。再生鎵的生產國家主要是美國和日本。日本再生鎵的主要生產公司主要有住友化學（Sumitomo Chemical Ltd.）和拉莎工業（Rasa Industries）等。
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熟悉穩懋人士初步指出，目前也還剛接到訊息，以產業鏈角度來看，較上游的「基板業者」會最先略有影響，主要是鎵礦礦源的受限，對化合物半導體晶片業者來說還隔了兩層，後續會持續觀察其變化。
熟悉全新光電人士表示，經初步採購端調查，砷化鎵相關基板採購來自日、德，第三類半導體是美、台系基板商，基板商本身是否有向中國採購還不確定，但估計該禁令主要確實聚焦「鎵礦」。
責任編輯：毛履兆
