中國記憶體擴產腳步不同調 長鑫、長江存儲各有獨門策略
- 韓青秀／台北
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中美地緣政治情勢拉鋸，中國加速半導體自給自足計畫，DRAM與NAND Flash 2024年擴產腳步不同調。
其中，長鑫存儲推動18.5奈米製程量產，避開美國商務部對18奈米以下的技術管制，二期新廠將力推中國國產化設備採用率大幅提升，全年產能規模將逐季成長。
而長江存儲在遭列美國實體清單後，決定將採取自己研發路徑，3D NAND堆疊製程藍圖已規畫至300層以上，但關鍵設備進口遭受阻撓，上游材料和設備產能的國產化腳步將成最大挑戰。
中美互動攻防挑戰重重，近期美國政府持續加大力道管控出口至中國的高階晶片與設備，半導體設備大廠ASML的特定型號機台許可日前遭到撤銷，包括浸潤式DUV（深紫外光）機台也面臨斷供。
由於先前市場早陸續傳出浸潤式DUV的出口許可將遭遇停止發放，中國客戶加速趕在2023年底拉貨完成，光是在11月從荷蘭進口的微影設備，年增率就高達10倍。
儘管ASML認為出口執照撤銷對2023年營運不受影響，業界透露，此次美國施壓ASML停止出口的微影設備，最終影響的用戶之一就是長江存儲，可能將成為未來擴產的最大變數，雖然長江存除積極透過國產化零件和設備進行替代，但短期內達成效果有限。
由於美國對128層以上NAND Flash設備出口訂下禁止紅線，長江存儲2023年推出「五台山」為命名的「合規」產品，刻意將層數堆疊降至120層，本預期五台山系列將作為2024年的擴產重點，且預定將增加月產量約3萬~4萬片規模，然而合規產品仍難取得美國的管制鬆綁，原先列為實體清單的限制並未解除，產能擴充計畫也將遭受阻礙。
不過業界透露，中美關係短期內難有實質修復，長江存儲按照內部研發腳步推進，後續仍將延續以中國名山為命名代號的傳統，除了232層的武當山系列，三清山、太行山等陸續規畫進行中，而太行山將可望超過300層堆疊，但考量3D NAND堆疊的限制敏感，未來長江存儲將不會刻意對外公布堆疊層數的進展。
相較於長江存儲的擴產計畫步步受限，供應鏈指出，雖然美國限制中國採購18奈米以下的DRAM設備，但長鑫存儲也向美國官方提出說明，對外號稱的17奈米製程並未符合實際水準，如今則採取18.5奈米製程進行擴產，符合美國商務部的限制規範，日前自行研發LPDDR5 DRAM 記憶體進入量產後，2024年將逐步針對合肥二期新廠推動擴產計畫。
據指出，長鑫的合肥1期廠區已接近滿產，單月規模達10萬片左右，北京廠也在2023年逐步放量，2024年上半將達到單月3萬片規模。
至於合肥2期廠區也持續進行中，並針對中國的國產設備逐步導入落地，以加速設備國產化使用率提高，業界透露，由於長鑫18.5奈米製程未遭限制，引進國產機台後，生產良率也順利調升，2024年資本支出將大幅成長。
若合肥二廠在年底提升至4萬片月產能，屆時長鑫將有機會在全球DRAM產能站上10%市佔率，中長期規畫將朝向30萬片擴產規模。
責任編輯：陳奭璁
