HBM成擴產主力　三大廠今年NAND資本支出不增反減

HBM需求強勁，成為三大記憶體廠的成長主力，業界估計，2024年3家NAND資本支出不增反減。法新社

隨著HBM高價產品貢獻獲利的成長快速，帶動產能排擠及產業供需改善，各家記憶體原廠2024年陸續重啟資本支出進行投資。

不過業界初估，三大記憶體供應商的重心聚焦HBM及高價DRAM，儘管企業級儲存需求強勁，但NAND Flash市場仍存在供過於求隱憂，相較於過去2年，三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）對NAND Flash資本投資將不增反減。

NAND Flash報價逐季走揚，各家原廠下半年的產能全面恢復正常水位，但市場估計，第3季NAND Flash將可望微幅供過於求的狀況，而NAND Flash價格上漲也將趨於平緩，北美雲端業者因應AI伺服器建置需求，大容量企業級儲存將是推升價格增長的火車頭。

以近年來掌握HBM主導權的SK海力士來看，最新公布的2023年第2季受惠於HBM、企業級SSD的銷售暢旺，帶動營收及獲利均創下佳績。

其中，HBM大幅季增達80%、年增250%以上，而企業級SSD則季增約50%，SK海力士也計劃2024年推出60TB 企業級SSD產品，2025年初將提高至128TB規格。

儘管SK海力士NAND 第2季ASP仍有上漲15%~19%，但其位元出貨量卻反而出現低個位數的季減，這也反映出其他NAND應用市場需求表現十分疲弱，並未跟上市場價格漲幅速度。

至於DRAM的位元出貨量季增低於20%、ASP增長約15%，兩者增長幅度相當。

供應鏈認為，2024年第3季起，全球NAND Flash IC總產出量將正式超越減產前的總規模，且2025年產出仍將繼續成長，但各家供應商謹慎控制增產幅度，2025年產業總消耗量與產出增幅估計將能相互平衡，ASP增幅收斂後，整體產業產值幅度雖然放緩，但ASP與產出的2大成長帶動，2025仍可望較2024年增長近3成左右。

雖各家記憶體業者均表示，2024年~2025年將持續提高資本支出規劃，但業界估計，三星、SK海力士、美光的投資重心聚焦於DRAM業務，尤其是兵家必爭之地的HBM更是受到關愛，在整體資源分配及挪移下，2024年三家對NAND Flash資本投資規模反較2022~2023年出現減少，其合計比重將從2023年的逾7成以上降至6成多。

值得注意的是，儘管三星力謀反攻HBM版圖，然而對NAND投入規模仍達整體產業約4~5成佔比，顯見產業龍頭大哥口袋深厚，強勢鞏固NAND霸主地位，進行布局技術投資與設備導入，先前傳出三星規劃在平澤第四工廠（P4）建設NAND Flash產線，並計劃在7月底前部署主要設備。

相較於三大記憶體廠具有HBM及高階DRAM作為獲利護身符，鎧俠（Kioxia）與長江存儲的資本支出將有明顯增長，尤其是長江存儲針對舊製程進行汰換，改為第四代新製程進行生產，且武漢二廠在2024年將有小量國產化機台投產。

據估計，2024年長江存儲的資本支出預料將達到1倍以上增長，全年位元產出也將有機會提高60~80%，成長幅度遠高於其他同業。

至於鎧俠在結束虧損及減產措施後，銀行團決定給予鎧俠寬限貸款期限，日本政府也承諾提供補助，據悉，鎧俠延宕多年的IPO計畫可望於10月展開，為了搶攻AI帶來成長機會，鎧俠2024年資本支出的增幅將可望高於25%。

責任編輯：陳奭璁