英飛凌宣布新一代CoolGaN電晶體系列採用8吋晶圓製程

英飛凌科技股份有限公司宣布推出兩款新一代高電壓 （HV）與中電壓（MV）CoolGaNTM產品，讓客戶可以在更廣泛的應用領域中，採用40V至700V電壓等級的氮化鎵（GaN）裝置，推動數位化與低碳化進程。這兩項產品系列均由英飛凌位於馬來西亞居林（Kulim）以及奧地利菲拉赫（Villach）據點生產，採用英飛凌內部高效能的8吋晶圓製程製造。藉此，英飛凌擴大了CoolGaN的優勢與產能，在GaN裝置市場中確保了強大的供應能力。而根據Yole Group預測，GaN市場在未來五年內，將以46%的年複合成長率 （CAGR）成長。

英飛凌電源與感測系統事業部總裁Adam White表示：「繼2023年英飛凌收購GaN Systems並以此為基礎，今天，我們再度在CoolGaN產品宣布了新的進展，為客戶帶來全新的效率和性能水準。新一代CoolGaN系列高電壓及中電壓產品不僅體現了英飛凌的產品優勢，更完全採用8吋晶圓製程製造，展現GaN快速擴展至更大晶圓製程的能力。我很高興看到我們的客戶能夠利用新一代GaN實現各種顛覆性的應用。」

全新650V G5系列產品的適用範圍涵蓋消費性、資料中心、工業及太陽能應用，是英飛凌新一代GIT型高電壓產品。採用8吋製程的第二項新系列為中電壓G3裝置，包括電壓等級60V、80V、100V和120V 的 CoolGaN電晶體，以及40V雙向開關（BDS）裝置。中電壓G3產品的目標應用包含馬達驅動、電信、資料中心、太陽能與消費性應用。

CoolGaN 650V G5預計將於2024年第4季上市，中電壓CoolGaN G3則將於2024年第3季開始供應。目前已開始提供樣品，詳細資訊請瀏覽英飛凌官網。