半導體產業獎勵促進條例：適用階段與效果（三）

研究補助金與合作研發中心都是針對半導體技術研究與發展的現金補助，與以稅賦減免的方式來獎勵企業的技術研發不同。政府可以扮演更積極的角色，執行方式也各有變形。 

研究補助金最著名的成功案例之一是曝光機光源的研究。

此計畫經費的來源是國防高等研究計劃署（Defense Advanced Research Projects Agency；DARPA），90年代半導體產業在尋求下世代曝光機光源的過程中最終選擇EUV，研發後技術移轉，最後在ASML手中經歷20年發展終於完成量產，在目前及未來的繼續微縮之路獨挑大樑。 

但是這種大型的基礎科技研發計畫對於處於發展初期的產業和企業並無太大幫助，也沒有辦法執行。能夠按部就班的豐富產業生態、增加企業存活率者，多是短期產品開發或技術的應用發展類型的計畫。 
 
合作研發中心的例子如台灣的工研院，或台灣半導體研究中心。 
 
除了提供技術服務、研究合作、儀器分享、產學合作等預期中的功能外，這類機構還可以有其他至少兩樣重要的功能：蘊育新創，和企業聯手攻關。 
 
在資金環境相對友善的情況下，所研發的接近量產階段技術，及其相關的研發人員，可以分立（spin off）出新創，使得半導體產業的生態環境變得更豐饒。這原是工研院設立當時的初衷之一。

在台韓長期競爭的歷程中，這些由研發機構分立出來的新創成為台韓產業發展成截然不同風貌的主要原因之一。這也是在新興國家產業發展之初就可以採取的措施。 

另一個措施在產業發展到一定階段才能發揮作用。

當半導體企業能夠成功存活下來，下一個重要的關卡在於如何從營業盈餘中產生足夠的經費支持獨立的研發。政府的所有研發經費補助其實都是在協助企業解決研發規模經濟不足的問題。 
 
從接受政府補助到能夠支持自主獨立研發的過渡期間，企業聯合研發可能是較好的方案之一，譬如當初的IST（IBM-Siemens-Toshiba）聯盟共同研發DRAM技術。合作研發中心正好可以當成此種研發聯盟的平台。 

人力資源短缺的問題發生於有半導體產業的幾乎每個國家的每個階段，原因各有不同。處於產業發展初期的國家大概都是因為缺少產業歷史因而沒有足夠有經驗的從業人員；而處於產業發展後期的國家有可能是人口基礎已經開始下降，如東亞諸國，或者是產業在其國內薪資的相對競爭力不足。

人力資源問題政府必須介入，因為牽涉到公權力相關事宜，如移民政策、教育、勞工等，是以勞動力發展和培訓必須要成為半導體發展政策的一部分。 

值得注意的是對於高級人力資源的養成方法。現在的教育體制有半導體專業化的趨勢，譬如半導體學院或微電子研究所。回顧以前半導體的發展歷程之中，雖然工程人員以電機背景居多，但是其他理工背景如材料、化工、機械、資工、物理、化學等的也不在少數。

現在的半導體的加值軸線，也已經從單一的製程微縮走向多面向，譬如新材料開發的碳化矽、氮化鎵，以及先進封裝等。這些新方向的開發需要有各類基礎科學的支持。接受傳統半導體技術教育的無疑比較專精，因而能立即投入生產。但是對於未來半導體的發展、創新是否有利則是大有疑問。

政府於勞動力發展和培訓的制訂必須依發展階段慎重考慮。 
 
最後要提醒，各類的獎勵補貼政策訂定時也要考慮國際市場的規矩。WTO訂有「補貼與反補貼措施協定」（Agreement on Subsidies and Countervailing Measures；ASCM），禁止特定的補貼行為。譬如第三條（Article 3）中禁止出口補助或優先採購本國產產品，雖然此協議對發展中國家有特別的彈性與考慮。另外，各國亦有反傾銷法律用以對付受政府過度補助的不公平貿易兢爭。 
 
雖然WTO現今對於全球貿易秩序的規範能力已不如當初設立之時，主權國家的行為也不受法律的管轄，但是上述規範的懲處最終會落在接受補貼的個別企業或產業上，訂定產業獎勵促進條例時要先將這些後果考慮清楚。