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二維材料在次奈米電晶體的應用

材料的改變及創新是最困難的,尤其在電晶體最為關鍵的通道層上,因為這牽一髮而動全身,而此TMD二維材料正是要做此一改變。法新社

在科技部所楬櫫的《A世代前瞻半導體技術專案計畫》,其宗旨在於為下一個世代半導體產業所需的相關技術,由學術界領軍做超前部署。下一個世代的半導體技術勢必將進入了次奈米等級(Angstrom;埃),也就是原子的尺度。此專案計畫其中一個重點,就是開發二維材料為導電通道層(channel)的電晶體。

二維材料,亦可稱為奈米薄片,在自從石墨烯(graphene)以人為的方法製作出來後,因其有絕佳的導電及導熱特性,深受產業應用的關注。電子在二維材料中運動,因為少了另一維度運動所造成的碰撞,因此在電場的作用下,可以有較快的移動速度,而提高導電率。但是石墨烯本身屬於類金屬,缺乏半導體所需的能隙(bandgap),因此無法使用在電晶體的結構上。

然而材料界的專家並不放棄,在十多年前就開始研究所謂的二硫過渡金屬化合物等(TMD,如MoS2、WS2)二維材料,TMD在材料特性上具有能隙,因此可應用在電晶體的製作,當然也有實際電晶體元件的展示。但是我們不禁要問,這些學術界所預計要開發的TMD二維導通層電晶體的計畫,是否就有可能為產業界於下一世代次奈米元件所使用?

矽基(Si)電晶體元件,為半導體IC產業的核心,現今最先進的IC都內含了百億顆的電晶體。換言之,任何一個新進電晶體的創新發展,必須要能夠通過百億顆電晶體集成度的挑戰,這包括了良率及可靠度等,也就是現實的世界裡須面對一個超高難度的進入障礙,否則就沒有太大的意義,因為無法解決產業所面臨的問題。

一個電晶體是由三個基本元素所組成,包括材料、製程及元件結構。一顆IC需經歷過成千上萬道製程的洗禮,因此製程的調整及精進是隨時在發生的。元件結構也會因解決特性上的問題,而做必要的創新。比如說在15奈米線寬以下,絕緣層原先在通道層的上方,改為到通道層的上下兩側,到最後變為通道層被絕緣層所全部包覆(GAA)。材料的改變及創新是最困難的,尤其在電晶體最為關鍵的通道層上,因為這牽一髮而動全身,而此TMD二維材料正是要做此一改變。

綜觀這二十年來在電晶體的核心,所發生在材料上的改變只有兩次。一次是進入45奈米線寬時引進了矽鍺材料(SiGe),另一次是在28奈米時引進高介電常數(high-K)絕緣層取代二氧化矽。矽鍺材料是為了在通道層附近產生應力,導致通道內的矽材料重合的電洞能帶予以分裂,使得電洞移動速度得以增加。高介電常數絕緣層的導入,是為了解決絕緣層太薄時所產生的漏電問題。而這兩個材料上的改變。都沒有動到導通層的矽材料。

英特爾(Intel)在十多年前,動用了非常多的資源,準備將N型通道的材料改為InGaAs,而將P型通道改為鍺(Ge)材料,以改善電子及電洞的導電率。這在學理上雖然是最佳的選擇,但在實作上仍是無法解決晶體的缺陷及可靠度問題,而功虧一簣。個人不能斷言TMD二維材料無法提供次奈米世代電晶體的解決方案,但是綜觀歷史的演進及客觀的事實,這個機會是非常渺茫。

我們非常肯定政府持續推動半導體領域的研發,協助產業界面臨下一階段的挑戰。然而產業已經進步到如此的規模,下一個世代的開發必須要慎選研發的題目,因為要走的路一定是又專又精。個人的淺見認為,既然全包覆式電晶體已是一個趨勢,未來要更進一步延續摩爾定律,3D堆疊電晶體是最順水推舟的事了。君不見快閃式記憶體(Flash),已經堆疊到兩百層了。此外政府亦可投入資源在矽基半導體其他領域的發展,如3DIC、微機電、矽光子、感測器,甚至於化合物半導體,這些的投入都可以讓我們的護國群山持續地壯大。

曾任中央大學電機系教授及系主任,後擔任工研院電子光電所副所長及所長,2013年起投身產業界,曾擔任漢民科技策略長、漢磊科技總經理及漢磊投資控股公司執行長。