研究與發展之間的距離
12月初的半導體界年度盛會國際電子元件會議(IEEE IEDM)有兩篇重要的記憶體論文：海力士及東芝發表了4Gb磁性隨機存取記憶體(MRAM)，用的是90奈米(nm)的製程，由於其使用3D電晶體，每位元面積大幅縮小；另一方面，三星則發表了其8Mb嵌入式MRAM，用的是28奈米的邏輯製程，是較為成熟的商業量產製程。三星這樣一家以記憶體為主的公司發表新嵌入式記憶體產品，當然是志在邏輯代工業務。事實上，嵌入式MRAM已成為了未來半導體代工業務的競爭主軸之一。
2016/12/29
