Flash價格直拉不停歇 DRAM築底震盪緩步走
- 韓青秀／台北
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隨著終端傳統備貨旺季進入尾聲，記憶體11月現貨價格的漲幅明顯趨緩，但第4季上游NAND原廠釋出產能持續減少，記憶體模組廠想逢低敲定大單卻無法如願。
儘管短期通路市場出現庫存積壓的現象，NAND Flash Wafer漲勢不減反增，主流512 Gb現貨價單月調漲約2成，站上2.6美元，持續朝向原廠損益平衡點關卡邁進。
隨著市場行情先行指標的現貨市場從第3季啟動漲勢，記憶體合約價第4季相繼跟進調漲，除了行動式記憶體受惠於手機品牌廠年底回補庫存，合約價季增約15~20%，隨著PC 與伺服器平台進入更新迭代，DDR5滲透率日益提升，帶動DDR5價格上漲雙位數幅度、DDR4及DDR3的漲幅也優於原先預估的中個位數表現。
不過現貨價部分，經過第3季逐月回神調漲，下游通路及記憶體模組廠在年底旺季接單分別在9~10月完成出貨，市場預期記憶體價格看漲的期待心理，帶動短期的庫存回補需求大致告一段落，11月現貨價漲幅已明顯轉趨疲弱。
受到中國消費降級的市場氛圍，雙十一等年度促銷及零售市場買氣均不如預期，歐美市場對於黑色星期五及耶誕備貨需求也陸續出貨近尾聲，不過實質需求導致去化緩慢，導致終端通路庫存提高，尤其DRAM價格處於震盪調整期，有待2024年需求復甦跡象顯現。
整體來看，大容量DRAM顆粒產品的漲幅較大，DDR4 16Gb （2Gx8）近月來平均漲幅約3.25%，DDR4 8Gb處於0.25~1.8%之間微幅調漲，儘管上游原廠已積極調降DDR4供給產出，但二手拆解市場仍有不少DDR4顆粒流竄，整體DDR4市場庫存也較高，拖累DDR4價格調漲不易，至於DDR3價格不漲反跌，庫存調整持續進行中
NAND Wafer價格持續受到上游原廠供應減產的影響驅動，記憶體模組業者透露，目前原廠對第4季Flash供應的態度就是拖延戰術，原先曾在9月試圖敲定數百萬顆訂單，但原廠遲遲不願放貨，就算願意給貨，數量及價格都無法達到滿意的目標，雖然終端市場需求已進入淡季，但Flash現貨市場行情卻處於上游熱、下游冷的特殊狀態，加速Flash Wafer各產品全面調漲。
以現貨市場來看，512Gb TLC價格從半年前約1.4美元一路爬坡向上，目前11月底價格已達到2.6~2.7美元，原本價格一度跌破材料成本，如今正朝著原廠損益平衡的首要目標持續狂漲，根據業界估算，512 Gb Flash價格要回到3.2~3.5美元，原廠才有望回到損平點，短期內估計價格難再回頭，但終端SSD價格仍難跟進上漲，導致進貨價高於賣價的狀況持續存在。
根據估計，各家原廠的減產效益在下半年陸續顯現，虧損及庫存正逐季縮小，不過各家合計虧損金額仍高達60億美元，雖比第2季虧損80億美元的幅度收斂，但NAND原廠將持續推動減產策略延續至2204年。
過去一向買貨備料不手軟的群聯，截至第3季存貨淨額達到新台幣213.31億元，看好NAND晶片市況轉熱，為了因應景氣需求即將回溫，近期宣布將擬透過預付貨款，強化與 NAND供應商的合作與穩定貨源，預期2024年將出現缺貨潮。
責任編輯：陳奭璁
