英飛凌12吋GaN晶圓獲突破 技術整備進入加速期
- 劉憲杰／台北
寬能隙半導體的競爭格局愈來愈激烈，無論是在碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），各功率半導體大廠都在積極布局，除了儘可能擴大寬能隙半導體觸及的應用範圍，也希望在量產技術上進一步提升。近期在居林啟用最新8吋SiC廠區的英飛凌（Infine...
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