旺季落空加速記憶體現貨走跌 HBM強勢拉抬2025年成長
- 韓青秀／台北
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NVIDIA新一代Blackwell GPU出貨延遲，引發近期市場疑慮，但無論從高頻寬記憶體（HBM）單顆die容量或GPU搭載HBM總容量來看，將消耗三大DRAM原廠更大量的位元產能，2025年勢必將延續大幅成長的動能。
然而終端市場需求疲弱不振，近期主流DRAM及NAND現貨價格幾乎全面下滑，第3季復甦期待已然幻滅，部分業界開始擔憂記憶體價格可能從2025年第1季開始提早走跌。
儘管Blackwell延後於第4季度開始出貨，Hopper需求依然強勁，NVIDIA在外界一片失落聲中，仍強對未來2個季度的總出貨量將持續成長。市場預期，Hopper GPU（H100/H200）訂單分配量可望上修，延續到2025年的總量可望成長3成以上。
若從產品路線圖來看，Blackwell的B200搭載8顆8層HBM3E，總容量達到192GB，相較前一代的H200搭載141GB容量提升了36%，而HBM3E單顆容量為24Gb，也較HBM3的16Gb提升50%。
相較於B200主要供應給雲端服務供應商（CSP），另一款輕量版的B200A搭載4顆HBM3E，採取12層堆疊規格，預計2025年第2季導入量產，其儲存容量也達到144GB，未來B200A可望接替H200的路線。
換言之，Hopper GPU出貨力道不減，短期內對HBM影響程度有限，而無論是高階B200或輕量版B200A，2025年對於HBM需求仍是有增無減。
至於2025年下半登場的HBM4，則被視為下一個重要的技術轉折點，其堆疊層數將達到16層，且單顆晶片的堆疊容量也將增加至64GB。
雖然HBM發展趨勢明確，但記憶體產業並不是晴朗無雲的好景象。由於上游原廠策略性傾注發展高附加價值的DDR5及HBM，產能排擠效應下，驅使合約市場價格向上攀高。
對比終端市場的買氣冷颼颼，現貨市場價格在8月底幾乎全面走跌，僅有DDR5勉強維持小幅成長或持平。DDR5價格維持高檔不墜，除受惠於整體市場滲透率提升，伺服器搭載需求也隨之成長。
畢竟HBM價格太高，DDR5作為伺服器提升算力的重要環節，價格走勢易漲難跌；但DDR4現貨價於7月仍維持4%漲幅，到了8月卻普遍回跌3.5%左右，至於Flash Wafer現貨價格也在8月中旬後出現小幅下滑。
據ChinaFlashMarket統計，主流Flash Wafer 512Gb TLC價格，從第2季高點4.2美元開始下跌，8月底價格從4.0降至3.80美元，單月跌幅約5%。而256Gb TLC也快速下滑至1.6美元，將較於7月底的跌幅已達15.78%，而1Tb QLC近二週下滑約3%。
從8月現貨價格下滑走勢，反映出市場對於第3季需求回溫的期待已經夢碎，儘管市場進入傳統旺季，然而需求不如預期強勁，OEM客戶的庫存量充足，導致現貨市場價格不得不降價求售。
在嵌入式市場部分，小容量產品價格跌無可跌，上游原廠針對手機客戶制定特殊訂單方案，提供彈性議價的空間，導致嵌入式價格呈現鬆動，整體手機業者已建立安全庫存，短期內備貨需求趨緩。
至於PC OEM傳出庫存水位相對較高，客戶拉貨動能不足，對談價意願不強，下半年必須消耗庫存，去化速度將觀察第4季傳統旺季的銷售表現。
部分業界認為，第4季合約價將維持調漲走勢，DRAM可望達到高個位數漲幅，NAND也延續微幅上漲。但若買氣持續不佳，HBM強勢成長拉抬平均售價，但一般記憶體依舊低迷，不排除部分產品價格從2025年第1季提早下滑。
責任編輯：朱原弘
