前三星、SK海力士高層崔珍奭 涉嫌外流DRAM技術至中國再遭羈押 智慧應用 影音
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前三星、SK海力士高層崔珍奭 涉嫌外流DRAM技術至中國再遭羈押

  • 江承諭綜合報導

此前涉嫌將三星電子(Samsung Electronics)20奈米級DRAM製程技術資料外流至中國,並試圖在成都建立「複製工廠」的半導體專家崔珍奭,再次遭到法院下令羈押。根據韓媒Chosun Biz報導,首爾中央地方法院日前針對涉嫌違...

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