中國記憶體產能擴張需擔憂？ 業界：兩大因素難構成嚴重威脅
- 韓青秀
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記憶體產業近來面臨市場供需失衡的雜音，中國記憶體業者產能快速擴張，引發外界憂慮將對市場競爭及獲利帶來衝擊。
但中國記憶體供應鏈業界認為，即使產能投資力道不減，有兩大因素的影響下，中國記憶體業者在短期內仍將處於市場追隨者，難以對現有記憶體大廠造成嚴重衝擊。
受到中國官方大力支持，長鑫成為具代表性的中系DRAM業者，除了肩負本土化DRAM製造的重任，近來也準備進軍HBM領域。
據估計，長鑫存儲 DRAM 總產能估在2023年達到12萬片，2024年則上看至20 萬片，雖然受到美國禁令限制，長鑫存儲主張以18.5奈米製程繼續生產，開發DDR4、LPDDR4以及LPDDR5產品，而正在興建中的HBM產線位於北京及合肥，量產的產品可能是堆疊8層的第二代HBM（HBM2）。
隨著長鑫向設備商採購製造HBM設備，業界認為，長鑫存儲HBM產品將在官方特定項目進行試驗，儘管生產初期的良率、製程開發等仍是個謎，但對中國官方來說，重點培養企業可以不賺錢，但發展路線必須符合國家策略。
值得注意的是，由NAND Flash大廠長江存儲持股的子公司武漢新芯，過去以NOR Flash產線為主，雖然武漢新芯擬將IPO已傳聞至少3年，近期在獲得上海交易所受理IPO申請後，業界認為，武漢新芯透過IPO上市募集資金，將為長江存儲挹注銀彈支援。
其主要亮點在於武漢新芯近期投入HBM布局，採購相關技術設備，初期月產能為3,000片，但業界人士指出，武漢新芯更傾向作為IP公司，透過HBM專利進行授權來獲得資本市場溢價，目的並非要建置龐大產能。
業界分析，無論是長鑫存儲、長江存儲等，如今已成為具代表性的本土化記憶體業者，雖然建置產能擴充的舉動引起外界側目及不安，但未來數年內將很難直接對各大記憶體原廠造成嚴重威脅，這主要受限於營運本質及決策管理的過程。
首先，作為國家重點項目的長存或長鑫都很難走向公開資本市場，因為一旦上市，內部財務、產能規模、稼動率及營收等將隨之公布，甚至有龐大的資本支出投入也將趨於透明化。
如今2家業者的發展重點是要配合官方本土化供應鏈的目標，必須持續投入增蓋新廠及研發戰略性技術，這也是得轉虧為盈的目標很難達成，勢必要透過其他管道或補貼取得資金支援。
據透露，長江存儲Xtacking 技術發展雖然取得斬獲，但30萬片量產計畫卻未能全面推進，預計將延後至2025年下半，原因並非在於建廠速度或技術問題，而是量產過程需要國產設備及生態鏈的配套成型，整個調校過程也將拖延量產速度。
其次，在成立初期的技術投入來自於招攬各方人馬，但地緣政治趨於緊張，營運方向更加傾向於官方實際主導，早期的各路產業人士已逐漸淡出，具體影響層面不僅是重大決策方向，甚至庫存、產品定價、生產計畫都須經過董事會同意。
而身為國營企業決策者的地雷是「終身問責制」，也就是即使已經下台或退休，一旦時空轉變，主事者都要為當初的爭議決策負責。
因此決策者必須趨於保守，若貿然追求成長將意味著風險及承擔責任，故決策定案前，必須要依照當時的客觀條件及證據來支撐。
而參考的依據可能就是其他國際大廠的訂價策略或庫存表現，即使未來產能規模持續開出，主事者仍可能傾向於打安全牌，成為市場追隨者，只要美國禁令大刀未解除，產能銷售仍將以內需市場為主，對於國際大廠的正面衝擊將相對有限。
中國記憶體產業扛起本土化大旗，但未來數年內對產業秩序的衝擊力道仍有待觀察，長鑫或長存將須為官方政策配套提供支持。相較之下，華為透過跨產業領域布局、推動上下游整合，自建平台及串聯產業生態系，對未來中國半導體影響或將更為關鍵。
責任編輯：陳奭璁
