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ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET

  • 陳毅斌台北

ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用。ROHM
ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用。ROHM

半導體製造商ROHM開發出適用於FA等工控裝置和基地台(冷卻風扇)24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual MOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch)」。

近年來,為了支援工控裝置和基地台馬達所使用的24V輸入,驅動元件MOSFET需要考慮到電壓變動所需的餘裕度,所以要求要40V和60V的耐壓能力。此外,在提高馬達效率並縮減體積方面,對於MOSFET出現進一步降低導通電阻和高速切換的需求。

在此背景下,ROHM繼2020年底發布新一代Pch MOSFET之後,此次Nch再推出了採用新微細製程的第6代40V和60V耐壓MOSFET。因此,使ROHM在支援24V輸入的±40V和±60V耐壓等級擁有了領先業界的Nch+Pch Dual MOSFET產品。

此外,為了滿足更廣泛的市場需求,ROHM還研發出+40V和+60V耐壓的「QH8Kxx/SH8Kxx系列(Nch+Nch)」,產品系列已達12款。

本系列產品採用ROHM全新製程,具備業界超低導通電阻,±40V耐壓產品的導通電阻比一般品降低61%(Dual MOSFET的Pch部分比較),有助進一步降低各裝置的功耗。此外,透過將二顆元件匯集到一個封裝中,可減少安裝面積進而達到裝置小型化,還有助減少元件選擇(Nch和Pch的組合)的時間。

具備業界超低導通電阻

ROHM本次研發的Dual MOSFET產品中,採用全新製程±40V耐壓產品,與一般品相比,Pch部分的導通電阻降低多達61%,Nch部分的導通電阻也降低達39%,有助降低應用裝置功耗。

發揮Dual MOSFET專屬特性  有助裝置小型化並縮短設計週期

在一個封裝中內建二顆元件,有助裝置小型化和減少元件選擇時間。在小型化方面,如果將傳統的Nch+Pch Dual MOSFET(SOP8)替換成新產品(TSMT8),安裝面積可減少75%。

與預設驅動IC結合  提供更優異的馬達驅動解決方案

將本產品與具有豐富實績的ROHM單相和三相無刷馬達預設驅動IC相結合,可以進一步達成馬達小型化、低功耗和靜音驅動。並且全面支援以Dual MOSFET系列和預設驅動IC所組成的週邊電路設計,提供滿足客戶需求的馬達驅動解決方案。