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英飛凌攜手Panasonic加速650V GaN功率裝置的GaN技術發展

  • 賴品如台北

出色的效能、可靠性及以8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌與Panasonic在需求日益成長的GaN功率半導體領域進行了策略性拓展。英飛凌
出色的效能、可靠性及以8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌與Panasonic在需求日益成長的GaN功率半導體領域進行了策略性拓展。英飛凌

英飛凌科技和Panasonic公司已針對共同開發及生產第二代(Gen2)氮化鎵(GaN)技術簽訂合約,基於已獲認可接受的GaN技術,Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。

出色的效能、可靠性及以8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓生產的能力,凸顯出英飛凌在需求日益成長的GaN功率半導體領域的策略性拓展。為了因應市場需求,Gen2將會開發為650V GaN HEMT。該裝置具備易使用性和更高的性價比,主要應用包括高功率與低功率的SMPS應用、再生能源、馬達驅動等。

對許多設計而言,氮化鎵(GaN)可提供比矽更多的基礎優勢。與矽MOSFET 相比,GaN HEMT具備出色的特定動態導通電阻和較小的電容,因此符合高速切換的要求。能達到省電、系統總成本降低、可在較高頻率下操作、提高功率密度和整體系統效率等效益,使GaN成為對設計工程師而言極有吸引力的選項。

英飛凌電源與感測系統事業部總裁Andreas Urschitz表示:「除了具備與第1代相同的高可靠性標準外,由於改採8吋晶圓製造,客戶將可受惠於更易於控制的電晶體以及大幅改善的成本定位。」如同雙方合作開發的第1代裝置(英飛凌CoolGaN和Panasonic X-GaN),第二代裝置將會以常關型矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)電晶體結構為基礎。在此基礎上結合混合汲極嵌入式閘極注入電晶體(HD-GIT)結構無可比擬的穩固性,讓這些元件成為市場上的首選產品,同時成為長期最可靠的解決方案之一。

Panasonic工業解決方案公司工程部門副總監Tetsuzo Ueda表示:「我們很高興能夠和英飛凌在GaN元件方面繼續合作。在這樣的合作下,我們將透過最新創新發展,供應高品質的第1代和第2代裝置。」