EPC GaN FET配以ADI控制器 實現高功率密度穩壓DC/DC轉換器

EPC GaN FET配以ADI控制器，實現高功率密度穩壓DC/DC轉換器。EPC

宜普電源轉換公司（EPC）和Analog Devices（ADI）公司攜手新推出參考設計採用經過全面優化的新型模擬控制器來驅動EPC的氮化鎵場效應電晶體，可實現超過96.5%的效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9158，這是一款工作在500 kHz開關頻率的雙輸出同步降壓轉換器參考設計，可將48 V~54 V的輸入電壓轉換為12 V穩壓輸出，可提供高達每相25 A電流或50 A總連續電流。

ADI的新型LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效GaN FET相结合，可為高功率密度應用提供佔板面積小且非常高效的解決方案。該解決方案在48 V/12 V 、50 A連續電流下可實現 96.5%的效率。

高功率密度使該解決方案成為需要小尺寸和高效的計算、工業、消費和電信電源系統的理想選擇。eGaN FET開關快、效率高和尺寸小，可滿足這些前瞻應用對高功率密度的嚴格要求。

EPC9158參考設計採用100 V的增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2218）和LTC7890兩相模擬降壓控制器，和帶有整合式氮化鎵驅動器。

LTC7890是一款100 V、具有低Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器，它經過全面優化，可驅動EPC的GaN FET，以及整合了一個半橋驅動器和智慧自舉二極體。經過優化的死區時間或可編程死區時間接近零，以及可編程開關頻率可高達3 MHz。 5 uA的靜態電流（VIN = 48 V、VOUT = 5 V、僅限CH1）可實現非常低的待機功耗和優越的輕負載效率。

EPC2218是一款100 V的GaN FET，具有 3.2 mOhm 最大導通電阻、10.5 nC QG、1.5 nC QGD、46 nC QOSS 和沒有反向恢復（QRR），佔位面積超小，只有3.5 mm x 1.95 mm，可提供高達60 A的連續電流和231 A的峰值電流。優越的動態參數可以在500 kHz開關頻率下，實現非常小的開關損耗。

EPC9158的效率在12 V輸出和48 V輸入時超過96.5%。除了輕載工作模式和可調死區時間外，該板還提供欠壓鎖定、過流保護和power good輸出。

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow表示，GaN FET能夠實現具有最高功率密度的DC/DC轉換器。很高興與ADI公司合作，將其先進控制器與EPC的高效能氮化鎵元件相結合，為客戶提供具有高功率密度和採用少量元件的解決方案，從而提高效率、增加功率密度和降低系統成本。

ADI公司高階產品市場經理Tae Han表示，ADI公司的LTC7890可充分發揮EPC eGaN FET的高效能優勢，用於高功率密度解決方案。LTC7890可實現更高的開關頻率和經過優化的死區時間，與市場上現有的解決方案相比，效能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器，客戶可以發揮氮化鎵元件的高速開關優勢，從而實現最高的功率密度。