CGD將首次參與中國PCIM Asia展覽 發表 ICeGaN GaN HEMT系列

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發和量產一系列節能GaN 型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件，該公司將首次在中國唯一專門展示功率電子元件的PCIM Asia 展覽會展出智慧運動、再生能源和能源管理領域的應用產品。CGD同時將在中國首次發表易於使用、穩定可靠的ICeGaNGaN HEMT第2波系列產品，將在整個展位進行示範，並於活動期間發表主題演講，以及兩場技術應用簡報。

Cambridge GaN Devices技術長Florin Udrea教授將於8月29日發表開幕主題簡報，主題為：「新一代氮化鎵功率裝置；突破易用性和可靠性的限制」。CGD資深首席應用工程師Martin Cheung 將於8月29日星期二上午11:25發表題為「減少高效能充電器拓撲中的穩態損耗」的講座，並於隔天8月30日發表「調校GaN切換效能及並行運作」的演說。

Andrea Bricconi CGD商務長表示：「中國和亞洲市場對CGD至關重要，我們將持續擴大產品組合，努力為全球市場提供創新、易用、堅固且可靠的GaN解決方案。CGD將在中國的PCIM Asia展覽會首次展示我們的H2系列 ICeGaN HEMT解決方案。我們榮幸首次參加亞洲最頂尖的功率應用展覽會，在現場與現有和潛在的新客戶會面，傾聽他們的應用現況，以利我們推出最合乎需求的解決方案。」

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