雷射黑神話 帆宣「鑽」進TGV重要製程
帆宣經過長時間與國內外頂尖技術合作, 提出業界最新的Laser-Induced Deep Etching(LIDE)解決方案對應TGV; 此套方案領先業界,為獨有的雷射光束整形DOE設計,取代傳統Bessel Beam,傳統的Bessel beam直徑大約1~2um,帆宣最新DOE設計可以達到直徑數十微米 Bessel Beam,搭配高精密平台控制系統,支援運行間高速Trigger laser,提高throughput,成功有效降低錐角(taper angles),並接近垂直玻璃表面,更可讓濕蝕刻TGV 徑深比(Aspect Ratio)達1:10以上。帆宣改質區域可提高蝕刻選擇比,雷射改質直徑大又能讓蝕刻液快速進入孔內二次LIDE製程,可提高真圓度達90%以上,降低玻璃的殘留應力。
隨著生成式AI帶動伺服器發展,AI晶片需要有強大GPU運算能力、3D-SoC和HBM記憶體系統的整合需求,高頻訊號性能要求較高,加上晶片之間互聯與接腳IO數量增加,在高階封裝產業中,TGV成為未來備受期待的中介層材料,帆宣推出的LIDE解決方案, 進階TGV低介電系數、高電阻率、IC運算高頻訊號損耗小、表面平整等優勢,這也是載板產業積極開發的重要方向,未來有機會取代現有製程中介層-玻璃纖維複合材料。
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