ASM 宣佈推出可為45 nm High-k閘極製程之高速ALD製程
- 魏于寧／台北
ASM International宣佈其已成功開發一項高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2)薄膜的產量，進而延伸其於關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。. 新的高速ALD製程是專門設計在ASM的...
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