馬來西亞矽佳與南海半導體進入功率金氧半場效電晶體(MOSFET)市場

馬來西亞晶圓代工廠矽佳(SilTerra)和總部設在香港的南海半導體公司(South Sea Semiconductor)宣布完成共同開發的( V-Tr FET) 溝槽式高效率，低導通電阻 (Rdson)的功率金氧半場效電晶體。該技術現已開始大量生產。
 
( V-Tr FET) 溝槽式場效電晶體採用可於每平方英吋製造高達488萬晶體密度的窄溝槽柵電極技術。該技術採用現有低成本的0.16微米生產設備來實現。利用( V-Tr FET)溝槽式場效電晶體技術實現耐壓20V的P通道和20V的N通道，並提供在3.4安培下SOT封裝和6.0安培下TSSOP-8封裝具競爭力且極低的導通電阻RDS（on）。

功率MOSFET器件可應用於可攜式電子用品如手機， MP3 ，可攜式媒體播放器，筆記型電腦內的鋰離子電池組，負載開關，電源開關和DC - DC轉換器並提供高效能電源管理，以延長電池壽命。 Silterra和南海半導體將繼續推動新一代功率MOSFET器件的性能提升和降低成本以便能於每英寸平方中生產10億個晶體。Silterra也提出專利來保護這一創新的知識產權。