冲成公司代理半導體製程精密設備 幫助客戶提升製程良率 共創雙贏局面

隨著科技產品要求更加輕薄短小，半導體在製程需不斷的提升技術，以符合客戶的需求。如何提升效能，達到更好的品質，並提高製程上的良率，是所有半導體業者所重視的議題。

冲成公司總經理林志陳表示，金融風暴造成民眾荷包大量縮水，在「買方市場」環境下，客戶對於品質的要求愈來愈高，唯有透過更精密的儀器及高科技的設備，提高生產製程上的良率，才有機會在不景氣中脫穎而出，打敗競爭對手，讓危機變為轉機。

ISIS總裁Dr. Alexander Knuettel進一步指出，為了提高企業競爭力，高效能(Higher performance)、更精巧(Smaller size)及低成本(Lower cost)是未來半導體業者在技術上的提升所努力追求的目標。

ISIS專精於非接觸厚度量測系統，透過紅外線折射方式，以非破壞性量測被測物，並且在精準度(Accuracy)達到0.2um，重複性(Repeatability)更可達到0.1um(3 sigma)，透過多次穿透折射方式可同時量測多層被測物(Multi layer)，在半導體前段及封裝等製程都能發揮很好的量測效果。儀器所能量測物品的材質包括Silicon、SiC、InGaAs、InP、TFT Glass/ Ceramics、SOI、Polyimide、Photoresist(spin coating)等。

林志陳指出，冲成公司為專業半導體及太陽能的設備代理商，多年來代理德、日等先進半導體製造設備及檢驗儀器，除了ISIS多層量厚設備外，E+H電容式量測儀器在晶圓(Wafer)的量測上也深受半導體製程上的肯定，包括厚度(Thickness)、翹曲度(Warp)、應力(Stress)、TTV等，都能準確測量出數據，匯出2D, 3D圖，讓RD人員在研發上有所依據，讓產線人員在生產上提升良率。另外在冲成也代理熱電偶溫度計(T/C wafer)，透過精準的溫度掌握，讓產品的製程更加穩定。

冲成公司於SEMICON Taiwan 2009的展覽攤位為世貿一館B272。另外，冲成公司亦將於SEMICON Taiwan 2009的「#2312微系統技術專區」「創新技術發表會」中，介紹ISIS之最新技術，主題為「先進封裝製程之非接觸多層厚度及表面檢測技術」，發表會時間為9月30日11:30-12:00。