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三星3奈米GAA客戶真身曝光 台積鬆口氣 2奈米2025如期量產

  • 陳玉娟新竹

三星號稱3奈米GAA彎道超車台積電量產,至今已超過1年。三星電子
三星號稱3奈米GAA彎道超車台積電量產,至今已超過1年。三星電子

日前加拿大研究機構TechInsights再度拆解中國MicroBT挖礦專用ASIC,由三星晶圓代工(Samsung Foudry)以3奈米GAA製程所生產之Whatsminer M565++晶片,但此款晶片僅有邏輯單元,沒有記憶體單元,也就是三星拿來練兵的GAA簡化版產品。

三星號稱3奈米GAA彎道超車台積電量產,至今已超過1年,但遲未見大客戶投片,甚至連自家手機也未採用,現在三星3奈米GAA真實展現,有三大值得關注之處。

首先,是三星3奈米GAA距離正規量產仍是漫漫長路;二是簡化版談不上良率;三是只有礦機客戶,未有大廠買單,千億美元投資黑洞難回收。

據TechInsights拆解報告指出(原文報告見此),三星與中國礦機業者MicroBT合作,Whatsminer M56S++是三星在2022年6月底宣布3奈米GAA製程領先量產後,首次曝光的商業化產品。

延伸報導三星3奈米GAA製程量產1週年 TechInsights拆解晶片曝良率長征步步難
為何三星未在其他晶片採用GAA製程技術?應考慮到GAA是先進且複雜的製程,良率也較低,因此選擇先在挖礦晶片導入。由於這此晶片不需要記憶單元,簡化了生產過程,也提高了生產良率。

三星於2022年中表示,首代3奈米GAA製程技術會在2022年下半商業化生產,且獲多家客戶青睞。2023年3月則釋出3奈米GAA製程良率穩定,已開始研發第二代製程,將全力實現2024年量產目標。

此外,三星亦以2奈米製程基本架構進行晶圓測試,並取得良好成果,同時晶圓代工事業部亦成功研發高密度記憶體整合技術,為因應日後生成式AI需求打好基礎。

隨著MicroBT礦機ASIC曝光後,終於可揭開三星3奈米GAA製程神秘面紗。此晶片於5月Bitcoin2023會議中正式亮相,也就是三星3奈米GAA量產1年後,所採用的卻是簡化版製程,顯見大規模量產之路仍相當漫長。

半導體設備業者表示, 三星3奈米GAA實力曝光後,台積電可以暫鬆口氣。事實上,進入7奈米以下製程世代後,轉單成本與風險高昂,因此難有客戶變心。值得一提的是,先前與三星合作的Google、Tesla,接下來也轉向台積電。

除高通(Qualcomm)雙邊押注,其他有技術、產品及銀彈能力的晶片廠,都是台積電客戶。最後是惡性循環,三星難以擴大先進製程量產規模,千億美元投資黑洞難以回收,持續燒錢壓力加劇。

設備業者也透露,蘋果(Apple)不會回頭下單,三星想要爭搶AI、HPC客戶填補產能、支撐龐大投資,但幾乎所有客戶都在台積手上,且合作已至2奈米世代。

設備業者語重心長指出:「暫不論製程技術與服務優勢,有錢下單的晶片廠都倒向台積電,先進製程勝負已分。」

台積電表示,2奈米技術採用奈米片電晶體架構,在良率與元件效能上皆展現良好的進展,將如期於2025年量產。據了解,表定2025年量產的2奈米,牌價逼近2.5萬美元天價,仍吸引晶片大廠開始洽談投片。


責任編輯:朱原弘