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聯訊儀器推四大產品線 滿足SiC可靠性測試需求

  • 尤嘉禾台北

聯訊儀器市場副總林甲威介紹聯訊關於SiC測試的turnkey解決方案。台灣電子設備協會
聯訊儀器市場副總林甲威介紹聯訊關於SiC測試的turnkey解決方案。台灣電子設備協會

擁有寬能隙、高擊穿電場、高飽和遷移率和高導熱係數等特色的碳化矽,雖深具高度應用潛力,但仍須提升可靠性,並制定合理的測試篩選方案,方能加快落地腳步,然而碳化矽的測試也存在多種挑戰,蘇州聯訊儀器(Semight Instruments)已成功開發一系列創新測試解決方案和設備,滿足碳化矽日益嚴苛的生產製造與可靠性測試需求。

專注於研發和製造半導體測試設備的聯訊儀器,產品線涵蓋晶圓測試、晶粒測試、可靠性測試等多個領域。在碳化矽測試領域,該公司提供了包括高壓晶圓測試儀、晶圓級老化測試系統在內多款產品,協助客戶各種因應測試挑戰,並透過持續創新和優化測試方案提升碳化矽的良率和可靠性,推動相關技術的發展和產業化進程。

碳化矽憑藉其優異的物理特性,在新能源汽車、電力電子等領域展現出廣闊的應用前景。然而,碳化矽器件在製造和測試過程中仍面臨諸多挑戰,包括高工作電壓引發電弧放電、高速開關導通產生高電壓尖峰、晶圓級測試接觸阻抗大等難點,導致其可靠性方面存在隱憂。

為克服上述挑戰,業界研發出多項創新可靠性評估測試方法,並提出了晶圓級老化(WLBI)、良品裸經測試(KGD)等創新測試方案。這些方案可在生產環節及早識別篩選出潛在的可靠性風險,有助於提升碳化矽器件的整體可靠性。不過目前WLBI和KGD測試尚未成為車規級碳化矽模組的強制性要求。

為協助客戶克服測試挑戰,聯訊儀器推出四大產品線,涵蓋碳化矽和其他半導體元件的全面測試需求。其WAT可測試包括MOS、BJT、電容、電阻、二極體等多種元件,涵蓋從低壓到高壓的測試範圍,WAT內建聯訊儀器自主研發的SMU,搭配高效易用的軟體,不僅可降低測試成本,更與主流測試儀器和探針台無縫對接。

在可靠度評估方面,聯訊儀器提供WLR平台,支援JEDEC最新標準如TDDB、HCI、BTI、EM等測試項目,且提供高達960顆元件的並行測試能力,大幅提升測試效率。此外,聯訊儀器的WLR平台還實現了晶圓級和封裝級可靠度測試的一機兼容,可簡化測試流程,且可進行高溫高壓應力測試。平台搭載內建的資料分析演算法和直觀的圖形化介面,可讓測試更便利,加快產品上市時程。

在WLBI領域,聯訊儀器的設備可支援6吋與8吋晶圓,最高工作電壓2000V,溫度範圍從一般室溫到175°C。WLBI設備可同時進行高溫閘極偏壓(HTGB)和高溫反向偏壓(HTRB)測試,並即時監測Igss、Idss、Vth等參數,具備高壓電弧放電、元件短路和過流保護功能,已在業界大量部署。

在碳化矽和IGBT裸晶測試,聯訊儀器的全自動化裸晶測試(KGD)系統,相容多種輸入輸出載具,此系統可提供4~6個平行測試工作站,涵蓋直流、交流、雪崩(UIS)等完整的常溫與高溫測試項目,測試效率高達每小時1,000顆以上,可大幅降低測試成本。

聯訊儀器表示,作為碳化矽測試領導廠商,聯訊儀器將持續投入研發,除提供客戶更全面的一站式測試解決方案,也將與各領域業者緊密合作,協助客戶提升良率,優化市場競爭力。


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