PCM技術

相變化記憶體技術(Phase Change Memory；PCM)是快閃記憶體的下世代產品，與傳統的快閃記憶體相較，具有低功耗的特性，並且極高的讀寫速度，更能實現一般在RAM記憶體才看得到位元可變性(bit alterability)能力。英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)是在2003年合作相變化記憶體的開發計畫(JDP)，日前三星電子(Samsung Electronics) 和恆億 (Numonyx)宣布要合作開發相變化記憶體(PCM)技術，顯示各方半導體產業罷主要卡位PCM技術的決心。

PCM技術主要是用來取代NOR Flash技術，現在NOR Flash晶片現在廣泛使用於各種消費性電子產品上，NOR Flash晶片單價低、市場價格差，日前大廠飛索半導體(Spansion)才申請破產保護，但NOR Flash晶片卻是消費性電子產品無法省略的重要零組件，因此現在不少生產NOR Flash晶片的業者，也陸續投入研發經費在PCM技術上，像是旺宏即與IBM共同研發。

由於PCM技術一旦崛起，全球NOR Flash產業將面臨大洗牌，因此現在各半導體廠積極申請新元件架構專利，並以策略聯盟夥伴合作，藉由互相授權的方式布局此市場，避免未來可能產生的專利互相衝突。(連于慧)