科磊跨入2X奈米邏輯、3X奈米記憶體製程

KLA Teron 600 系列。KLA-Tencor

量測儀器設備業者科磊(KLA-Tencor)宣佈將為跨入2X奈米邏輯與3X奈米記憶體製程，引領新世代光罩設計帶來重大轉型。科磊表示，全新的 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系，加入可編程掃描機曝光功能，大幅改善靈敏度和模擬光刻計算功能，對開發和製造2X奈米節點的創新光罩非常必要。

過去，光罩設計人員首先從與目標晶圓圖形相似的光罩圖形著手，對光罩的特性如光學近似校正進行小範圍調整，直到獲得所需的晶圓結構為止。此方法在 2X奈米世代開始失效，因為 193奈米的光刻已經延伸到一個極端次波長範圍。因此，在2X奈米節點上使用反向光刻技術（ILT）和源光罩優化（SMO）等模擬計算光刻技術變成可行。只不過ILT 通常會產生一個複雜的光罩圖形和大量非常細小的結構，使光罩生產變得非常困難。更有甚者，源光罩優化（SMO）涉及到計算不均勻的掃描機光強分佈。

科磊光罩檢測部副總裁兼總經理Brian Haas則表示，新一代 2X奈米製程在光罩策略上的顯著變化導致光罩缺陷檢測技術飛躍。光罩細微結構從3X奈米到2X奈米預計的縮小得多。另外，光罩圖形破碎，使得工程師根本無法查找光罩缺陷的位置並確定其是否可以印刷到晶圓上，也可能會導致半導體廠產生嚴重的成品率損失。因此對於2X奈米世代，必須能夠輸入一個用戶定義的掃描機曝光分佈，考慮極化效應和光阻，並精確地計算光罩缺陷對晶圓的影響。

Teron 600 利用模擬計算光刻方面的實力，及累積了開發和製造6代光罩檢測平台方面的經驗，因此是一個具有超高解析度和低雜訊的光罩檢測系統，專門解決新2X奈米世代問題。

Teron 600 平台的設計可以檢測兩次成形光刻（DPL）和深紫外光(EUV)光罩與空片創建的原型光罩。並且其系統設計也考慮了延伸至潛在的 1X奈米製程光學。另外，Teron 600 系列可與TeraScan 500 系列光罩缺陷檢測系統搭配。