汎銓科技專注材料分析與電路修補 協助業者改善設計與製程 大幅提升良率與競爭力
- 張琳一
由於目前電子裝置愈來愈小,因此材料分析服務的樣品處理愈來愈困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段,都必須仰賴高度精密儀器設備,如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台,從材料的橫切面、薄片等不同方式,觀察材料的結構或成份,才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。
汎銓科技以「材料界設計服務中心」(Material Design Service Center)為經營定位,不僅率先領先業界引進台灣第1、第2台應用於32奈米的FEI V600CE+機台,提供電路修補(Circuit Repair)服務,更引進全球最高階的Dual Beam聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)機台DB Helios 450S,擁有超高解析度的掃描SEM影像品質,提供更為快速且精確的材料分析服務。
汎銓科技表示,該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎,並提供研發、應用等附加價值的服務,以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢,加上製程不斷地演進,因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力,隨時進行機台的追加與更新,期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。此外,汎銓亦率先採用OBIRCH數位Lock-in技術,提高缺陷定位的精準度,應用在IC設計的除錯與製程改善。
以汎銓的TEM為例,分析技術達到業界領先的20nm製程水準;而SEM解析度亦達到領先業界的0.9nm@1KV。此外,並擁有最先進的低角度背向電子(LABE)影像技術,及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析(EDS)先進設備提高Mapping速度與解析度,達到次微米水準(<1um)。
此外,針對目前半導體熱門的3D IC技術領域,汎銓在3D package失效分析方面也有布局。汎銓科技表示,3D IC失效的主要來源是TSV(矽穿孔)的缺陷,包含絕緣層Breakdown、Glue Layer的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBIRCH、FIB、CP、SEM可觀察3D IC失效的TSV缺陷。
目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室,分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH,結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM,成份分析的AES、EDS等各種分析儀器,並以材料分析為基礎,協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因,提供客戶量產支援服務。
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