台積電蔣尚義:14奈米面臨十字路口 EUV、雙重曝光2擇1
- 連于慧/台北
台積電研發資深副總蔣尚義表示,2012年初要針對14奈米製程做評估,究竟是要採用極紫外光微影製程(EUV)還是沿用Immersion 193機台,採多重曝光(multiple patterning)方式進行,將會影響2015年量產進度,同時也呼籲設備廠要多加把勁,因為目前EUV機台效能嚴重落後,同時2014年要決定10奈米製程技術,如果屆時EUV技術和多電子光束無光罩微影技術(multiple-e-beam maskless lithography;MEB)都無法量產,半導體製程演進將面臨相當大的挑戰。
EUV機台1台要價1億美元,造價相當昂貴,台積電近期已有1台試產的EUV機台進廠房,不過公司表示,EUV機台效能嚴重落後,目標是每小時產出100片晶圓,但現在EUV機台每小時只能產出5片晶圓,與預期相去甚遠。
據了解,艾司摩爾(ASML)提供給台積電的EUV機台為第2代NXE 3100機台,ASML未來會推出量產型機台NXE 3300機台,其量產型機台的曝光速度和瞄準率會更高。
蔣尚義表示,28奈米製程產品已開始Tape-Out,交貨的產品都是fully-function,預計2012年初量產,而20奈米製程預計於2012年第3季底量產,至於14奈米製程,預計2012年初要決定研發的技術。
蔣尚義進一步表示,14奈米製程究竟要選擇EUV技術或是沿用Immersion 193機台,採多重曝光(multiple patterning)方式進行,2012年初會決定,目前EUV機台效率不如預期,每小時只能產出5片晶圓,與預期的100片晶圓有很大距離,但若採用multiple patterning或是double patterning,一個動作要重複曝光2次,效率降低一半,會影響成本,導致客戶不願意導入新製程。
再者,2012年初決定14奈米的製程技術後,2015年14奈米會正式導入量產,因此14奈米製程究竟要選擇哪一項技術,之後就要一直沿用,此決定對台積電相當重要。
蔣尚義也指出,接下來2014年會決定10奈米製程是採用EUV技術或是MEB技術,但若屆時2種技術都無法成熟,半導體製程微縮會面臨相當大的挑戰,因此希望設備廠能加把勁,加速機台設備的效能。
台積電也強調,目前公司內部是EUV技術和MEB平行發展,沒有特定壓寶哪一項的問題。
再者,台積電18吋晶圓廠計畫原本規劃是在2015年,但目前18吋晶圓廠計畫決定延後,據了解,是設備機台尚無法達到既定水準。
美商應用材料(Applied Materials)企業副總余定陸則表示,認同台積電提出半導體產業黃金10年的看法,設備廠會協助客戶克服技術挑戰,並以創新為架構,提出全面性的整合解決方案協助晶圓廠降低技術風險。
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