CCD/CMOS

CCD全名為Charge Coupled Device，為數位相機中可記錄光線變化的半導體，通常以百萬像素(megapixel)為單位，主要材質為矽晶半導體，基本原理類似計算機上的太陽能電池，透過光電效應，由感光元件表面感應來源光線，從而轉換成儲存電荷的能力。

簡單地說，當CCD表面接受到鏡頭進來的光線照射時，會將光線的能量轉換成電荷，光線越強、電荷也就越多，這些電荷成為判斷光線強弱大小的依據。CCD上有通道線路，可將這些電荷傳輸至放大解碼原件，還原所有CCD上感光元件產生的訊號，並構成1幅完整的畫面。

而CMOS全名Complementary Metal-Oxide Semiconductor，又稱互補性氧化金屬半導體，同樣是在數位相機中可記錄光線變化的半導體，與CCD在外觀上幾乎無分軒輊。但是，CMOS的製造技術比較接近一般電腦晶片，材質主要是利用矽、鍺這2種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存著N(帶負電)和P(帶正電)級的半導體，互補效應所產生的電流，即可被處理晶片紀錄和解讀成影像。

然而，CMOS因為在每個畫素的旁邊放置訊號放大器，其缺點是容易出現雜點 ，特別是處理快速變化的影像時，由於電流變化過於頻繁，容易產生過熱的現象，更使得雜訊難以抑制。

由於CMOS相較於CCD具有低成本、低耗電以及高整合度的特性，CMOS的低成本和穩定供貨，成為廠商的最愛，也因此製造技術不斷改良更新，使得CCD與CMOS的差異逐漸縮小。未來CCD將持續朝低耗電作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正雜訊以及畫質表現。(顏雅娟)