整合分析挖掘半導體製造智慧
元智大學資訊管理學系助理教授許嘉裕比喻,綜觀IC的剖面圖,就好比一層層堆疊而上的101大樓,其層與層、樓與樓之間必須正確堆疊,譬如線路與線路的間距務求精準校對,此棟大樓才能牢靠穩固;換言之,從矽晶圓、光罩、晶粒切割…直至IC製造的整個過程,都需要投以良好的控制與改善。
然而,以半導體機台的FDC(Fault Detection and Classification)資料而論,累積的數量已經大到不易善加分析的地步,而且舉凡Lot、Wafer、Die、IC等不同資料層次,一旦對應錯誤皆可能產生分析誤差。如何將這些最原始、也最細膩的資料予以集結,藉以呼應諸如SPC、OEE、RtR、FDC、PHM、Scheduling、Yield Correction…等不同應需求,堪稱重大挑戰。
製程資料整合暨分析的目的,就在於提高良率、縮短上市時間,其中最廣為人知的即是「先進製程控制(Advanced process control;APC)」法則,其中最常被採用的手段包括「錯誤偵測與判斷系統(FDC)」及「批次與批次的控制(Run-to-Run;RtR)」,前者旨在提供一個自動化的方法來偵測、警示與判斷導致製程異常的原因,後者是利用製程前與製程後的量測,來改變製程配方,以進行批次正向補給回饋自動控制。
然許嘉裕認為,智能製造重點其實並不在於方法本身,而是必須確保方法之有效存活,否則就算方法再好,也只能發揮一次性效益。以FDC設備資料而論,每秒有關氣體、溫度等類型之資料量十分可觀,雖然頗具分析價值,但雜訊(Noise)實在太大,唯有選用適當的Indicator,才能正確表述機台狀態,但如何定義好Indicator,本身即隱含重大難題。
回顧過去,業界進行統計製程管制,憑藉的都是事先選定的一把尺,但其缺點就是,若有好的或壞的因素,過去未曾考慮過,即容易遭致誤判。在此前提下,人們轉而採用「多維度的主成分分析法(MPCA)」,意即拆分為兩個不同Domain來進行分析,據此建立相對合宜的控制模型,但若從RtR角度來看,每完成任一步驟的資訊,要傳遞至下一步驟,往往有時間落差(譬如黃光與蝕刻),在資訊不即時的情況下,就會產生變異,如此一來,當下的控制效果或許良好,但隨著生產時間一久,仍可能導致狀態隨之轉變。
「不論方法為何,都莫要取決於單一模型,」許嘉裕建議不妨利用機台之間、或Lot之間的互換關係,試圖建立一個微調機制,藉以弭平RtR過程中的資訊落差。
他並強調,隨著線寬愈來愈小、設備愈來愈貴,就益發凸顯Predictive analytics的重要性,譬如運用預測性維修(PdM)方式,可在晶膜成長過程中,藉由上下燈泡溫度的差異,判別生產因素是否有所改變,此外亦可借助PHM(Prognostic and Health Management),將自機台蒐集而來的資料,透過分析歷程,終至成為足以輔助決策的資訊。
許嘉裕說,半導體製造程序複雜、影響變數眾多,往往無法從蒐集的龐大資料中,迅速有效地挖掘或歸納其中有意義的樣型或規則,所以任何智能化的技術並非完全取代人,而是協助人們進行決策。