化學氣相沉積法

化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition；CVD)是半導體工業中應用最廣泛、用來沉積多種物料的技術，包括大部分絕緣物料、大多數金屬物料和金屬合金物料。就理論上來看，是將兩種或兩種以上的氣態原物料導入到一個反應室內，使之產生化學反應，形成一種新的物料，沉積到晶片表面上。如澱積氮化矽膜(Si3N4)便是由矽烷和氮反應所形成的。

在半導體產業上，一般將晶圓作為基底，暴露在不同的蒸氣下，可以得到矽、二氧化矽、氮化矽(Si3N4)，甚至是一些金屬的薄膜沉積。

化學氣相沉積法有相當多不同的種類，均在各領域被廣泛應用。可以透過不同的指標來進行分類：利用氣壓的大小來分類，可以得到常壓化學氣相沉積(atmosphere pressure CVD；APCVD)、低壓化學氣相沉積(low-pressure CVD；LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(ultrahigh vacuum CVD；UHVCVD)等。在化學氣相沉積法當中減低壓力，最主要的目的在將其他不相干的氣體去除，以避免產生不必要的反應而得到雜質。(李佳翰)