HEMT

高電子遷移率電晶體 (High Electron Mobility Transistor；HEMT) 又名調變摻雜場效應管(modulation-doped FET；MODFET)，主要是以砷鎵鋁或砷化鎵等化合物半導體，來解決過去以矽為主要材料而難以解決的電子移動率低、頻率操作範圍小、無法耐高溫操作、高頻操作有大雜訊等問題，突破元件輸出功率與效能低、抗輻射性差、光能轉換特性差等因素。

有業者指出，化合物半導體早期為技術性的國防機密，作為衛星通訊及軍事武器上的應用，在大量的國防科技釋出民間後，使得高頻通訊頻段由國防應用轉為消費性產品，也因此磊晶技術也隨著改良，元件擁有優異的崩潰電壓、電流密度及高頻特性，因此此類化合物半導體廣泛地應用在高頻率、高效能、高增益、低雜訊的電晶體上。因在光電和高頻的傳導率高，廣泛應用在無線通訊、無線區域網路及手機相關方面。(林昭儀)