EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件

EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵元件，讓高功率密度應用實現靈活設計。EPC

宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實現更高的效能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優化器和微型逆變器，以及馬達控制器。

EPC是增强型氮化鎵(eGaN)功率FET和IC領域的全球領導者，新推採用更耐熱的QFN封裝且可立即發貨的150 V EPC2308氮化鎵元件，用於電動工具和機器人的馬達控制器、用於工業應用的80 V/100 V高功率密度 DC/DC轉換器、用於充電器、適配器和電源供電的28V~54V同步整流器、智慧型手機USB快速充電器，以及太陽能優化器和微型逆變器。

EPC2308 GaN FET具有超小的導通電阻(RDS(on))，典型值僅為4.9 mOhm，而且QG、QGD和QOSS的參數非常小，可實現低導通和開關損耗。它採用耐熱增强型QFN封裝，佔板面積僅為3 mm x 5 mm，為最高功率密度應用提供極小型化的解決方案。該封裝提供可濕潤側面以簡化組裝和檢查，而且頂部外露和具超低熱阻，從而可以通過散熱器實現高效散熱和更低的操作溫度。

EPC2308與之前發布的100 V、1.8 mOhm EPC2302和100 V、3.8 mOhm EPC2306的封裝兼容。

宜普電源轉換公司首席執行長兼聯合創辦人Alex Lidow表示，EPC2308結合了150 V GaN FET的優勢和易於組裝、更耐熱的QFN封裝。設計人員可以利用封裝GaN FET系列，實現用於電動汽車和無人機的更小、更輕和以電池供電的BLDC馬達控制器、更高效的80 V輸入DC/DC轉換器、更高效的USB充電器和電源供電等應用。

EPC90148開發板採用最大元件電壓爲 150 V、最大輸出電流爲12 A的半橋元件EPC2308 GaN FET，旨在簡化評估過程以加快產品推出市場時間。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm0開發板專為實現最佳開關效能而設計和包含了所有關鍵元件，便於評估。

EPC2308以1000片為單位批量購買，每片價格為3.75美元。EPC90148開發板的單價爲200美元。所有元件和開發板都可從Digi-Key立即發貨。有興趣用GaN解決方案替換其矽MOSFET的設計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據您所需的特定工作條件，將推薦合適的替代方案。