創意電子採用台積電先進封裝技術完成3奈米 HBM3與GLink-2.5D IP設計定案

創意電子HBM及GLink-2.5D IP重要特色。創意電子

先進特殊應用積體電路（ASIC） 領導廠商創意電子（GUC） 宣布，已順利設計定案8.6Gbps HBM3控制器和實體層以及GLink 2.3LL的測試晶片，將可運用在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）/xPU及網路應用。GLink 2.3LL 晶粒對晶粒介面提供業界一流的規格，包括 5Tbps/mm 晶粒邊緣效率（2.5T 全雙工流量），功耗僅 0.27pJ/bit，端對端延遲時間更只有 5ns。測試晶片則採用台積電 3 奈米製程，並以台積電 CoWoS-R 技術封裝。
 
創意電子已完成台積電7奈米及5奈米的HBM3控制器和實體層IP ，並支援CoWoS-S及CoWoS-R。這些IP 均使用SK海力士以及三星的HBM3記憶體進行驗證。創意電子的HBM3 IP在隨機存取下，頻寬使用率可超過 90%。

GLink 2.3LL支援台積電InFO_oS以及CoWoS-S/R，並通過台積電5奈米製程節點的驗證。為便於使用 GLink 2.3LL實體介面，創意電子提供可配置參數的AXI、CXS 及 CHI匯流排橋接器。GLink 2.3LL的I/O具備高串音容忍度，因此可使用CoWoS/InFO非遮蔽式佈線，有效地將中介層或RDL的訊號傳輸線數目擴增為兩倍。

HBM與GLink 已和 proteanTecs互連監控解決方案整合，不但能就實體層的測試與特性分析提供高可透視性，還可透過可觀測其現場效能與可靠性的特性，增進最終產品的效能。此次的 3 奈米設計定案，意味著我們能以 7奈米、5奈米和3奈米供應GLink/HBM IP產品組合，且已獲得眾多 AI、HPC和網路客戶導入其產品。

創意電子總經理戴尚義博士表示：「本公司很榮幸能率先全球採用3奈米製程技術設計定案8.6Gbps HBM3控制器和實體層 IP，以及效率最高的晶粒對晶粒介面GLink 2.3LL。我們現已建立完備的2.5D/3D小晶片IP產品組合，可採用最小達3奈米的先進技術。連同我們在CoWoS、InFO及SoIC設計、封裝設計、電氣和熱模擬、DFT以及生產測試等領域的專業能力，我們絕對有能力為客戶提供最先進的解決方案，協助客戶締造更豐碩的產品和業績。」
 
創意電子技術長Igor Elkanovich則表示：「我們持續致力推出業界一流的晶粒對晶粒介面，以期推動小晶片革新。我們的IP遍及所有台積電的先進製程及3DFabric技術。2.5D與3D封裝現在都趨向使用HBM3、GLink-2.5D/UCIe及GLink-3D介面，這會有助日後研發出高度模組化、以小晶片為基礎且遠大於光罩尺寸的新一代處理器。」進一步了解。