Research Insight：英特爾、台積電拿下補助總額近4成　助美建立先進製程優勢

美國商務部2024年4月8日宣布，將提供台積電66億美元投資補助及上限50億美元的貸款，而台積電也同步發布擴大在美投資計畫。事實上，台積電所獲得美國《晶片與科學法》( CHIPS and Science Act）補助，為半導體投資補貼中僅次於英特爾（Intel）的第二大筆款項。

DIGITIMES Research分析認為，雖補助款少於英特爾，亞利桑那州新廠導入先進製程時點也晚於英特爾，但台積電憑藉在先進製程大量的生產經驗，仍可望保持良好的競爭優勢。

三週前，美國商務部於3月18日宣布提供英特爾85億美元補助及110億美元的優惠貸款後，英特爾成為美國晶片與科學法案補貼的最大贏家。此前，格羅方德（GlobalFoundries）、Microchip等美國半導體業者雖也獲得晶片法補貼，但與英特爾獲得的規模相去甚遠。

DIGITIMES Research觀察，英特爾、台積電陸續獲得美國政府補助，兩案補貼合計達151億美元，佔晶片法案對半導體製造補貼的390億美元近4成，凸顯美國意圖強化先進半導體製造能力的決心；而台積電與英特爾當前的投資計畫，將有助美國建立半導體先進製程生產能力。

目前美國商務部尚未公布對三星電子（Samsung Electronics）的投資補貼，以及三星未來宣布相應的投資計畫，皆是後續可關注的重點。

美國商務部宣布提供高額補助後，台積電也同步承諾將在亞利桑那州投資興建第三座晶圓廠，以及更新第二座晶圓廠投資計畫，使台積電亞利桑那州總資本支出新增逾250億美元，累計將超過650億美元。

DIGITIMES Research分析，台積電在考量美國半導體建廠時程、員工招募與訓練、客戶製程需求等因素下，台積電亞利桑那州Fab 21 P1原規劃量產技術已由5奈米製程轉為4奈米，量產時程則由2024年下半遞延至2025年上半。

而原先規劃2026年量產3奈米製程的Fab 21 P2，因應美國客戶需求，將增加生產更先進的2奈米製程，量產時程則預定在2028年。由於台積電規劃2025年在新竹寶山Fab 20量產2奈米製程，因此在2028年將2奈米製程導入Fab 21 P2，該廠製程順利升級機率相當高。

至於亞利桑那州第三座晶圓廠Fab 21 P3將在2030年以前完工，屆時將導入2奈米及以下先進製程。

DIGITIMES Research分析認為，台積電2奈米製程於2025年進入量產階段，而1.4奈米製程則可望在2027~2028年在台灣量產，因此只要在廠務建設、機台進駐、人員招募與訓練順利，Fab 21 P3亦可望在2030年以前順利導入1.4奈米製程。

根據英特爾IDM 2.0戰略規劃，Intel 3製程已在2023年下半完成開發，2024年將進入量產階段，因此成為美國率先量產3奈米製程的業者；至於Intel 18A製程，預估將在2025年進入量產階段，使英特爾成為美國本土首家生產2奈米以下製程的半導體業者。

DIGITIMES Research觀察，英特爾在5奈米以下先進製程量產時點將早於台積電Fab 21，甚至英特爾可望在2030年以前在美國量產Intel 10A製程，相似的先進製程量產時點皆可望早於台積電Fab 21，將可提早為美國建立先進製程生產能力。

然考量台積電在7奈米以下先進製程生產經驗疊加仍佔優勢，客戶高度客制化產品經驗豐富，在美國市場仍可望持續保有競爭力，全球市場競爭力亦可望維繫。

責任編輯：朱原弘