旭化成AIN基板進化 可用面積增至4.5倍
- 范仁志／綜合外電
日本化學材料大廠旭化成（Asahi Kasei）針對碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）功率半導體需求，進行合用的氮化鋁（AlN）單晶基板改良，2024年6月12日宣布完成4吋AlN單晶基板開發，將於2024年下半對外提供樣品。旭化成旗下...
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