三星HBM傳認證過關3Q供貨 模組廠期待加速重啟備貨需求
- 韓青秀／台北
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AI伺服器需求急速拉動，韓系記憶體大廠強攻HBM商機，台系供應鏈近期傳出，三星電子（Samsung Electronics）HBM認證近期將可望拍板定案，產能排擠效應將可望在下半年加速產生。
供應鏈預料，記憶體原廠至少挪移約20~30%產能，供應緊缺將進一步推動DDR5價格持續調漲。
第2季消費性電子需求疲弱不振，台系記憶體業者指出，7月上旬買氣依然冷淡，不過三星已提出7月報價，DRAM價格預計調漲10~15%，NAND Flash約將調升10%左右。
但記憶體模組業者表示，第2季庫存去化並不順利，儘管下半年進入傳統出貨旺季，並預期新品推出將刺激消費者換機需求，但對第3季採購意願將趨於保守觀望。
業界傳出，先前三星HBM受到散熱瓶頸而遲遲未能通過認證，讓競爭同業SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）大啖生成式AI商機，產業領頭大哥錯失AI成長列車，近來引發市場看衰質疑。
不過多家台系業者先後接獲消息，三星HBM3E將可望於第3季獲得認證出貨，待相關程序完成後，將可望量產供貨。
據透露，三星的部分供應鏈近期接獲消息，要儘快提前下單採購及預定產能，隨著三星HBM下半年開始順利出貨，目前三星內部的產能調配將加速推動，產線重心轉移至HBM。
由於HBM成為記憶體原廠的獲利金雞母，長期訂單將帶來豐厚毛利率，對於DRAM產能排擠效應將更趨顯著，尤其DDR5將首當其衝面臨供不應求。
不過三星方面並未證實，先前曾傳出三星收到NVIDIA的HBM3E Qualtest PRA（產品準備批准）通知，並展開產線供應規劃，但遭到三星否認，
不過，三星LPDDR5X卻另有斬獲，聯發科最新的天璣9400旗艦移動平台已箭在弦上，將搶佔中國旗艦手機市場的市佔率提升。
三星近來頻頻向聯發科招手，最新LPDDR5X DRAM僅用3個月就完成驗證，透過與聯發科的驗證，三星將能鞏固在低功耗、高性能DRAM市場的技術地位，未來將應用範圍從移動設備擴展到伺服器、PC和汽車設備。
雖然下半年的市場復甦需求緩慢，但記憶體業界預期，第3季底前將可望迎來備貨增溫的復甦現象，而記憶體原廠雖然陸續增加資本支出，但新增產能跟不上HBM成長的速度，不僅伺服器記憶體需求先啟動，接下來的AI PC、手機換機動能等，將陸續擴散至AI相關應用，推動記憶體產業景氣周期延伸至2025年的成長榮景。
台系記憶體供應鏈認為，三星HBM驗證的消息可望在近期三星財報會議獲得確認，近期確實有不少業者聽聞相關消息。
但從產業實際面來看，現在是上游原廠硬要漲價，但是並不缺貨，因此下游通路端也不急著拉貨，假使三星HBM驗證瓶頸順利通過，產業大缺貨的現實條件可望確立，終端客戶就不用再觀望，市場缺貨的預期將加速業界重啟備貨的需求。
市場預計，AI帶動整體伺服器設備升級，伺服器用SSD第3季漲幅將能上看10~15%之間，伺服器DDR5在供應吃緊下，第3季也可望看漲10~15%，下半年DDR5的價格預料將有15~25%成長空間。
而DDR4雖然近期來處於庫存去化的過渡期，但記憶體大廠DDR4供應將是有減無增，後續DDR4仍將有看漲的空間。
責任編輯：陳奭璁
