天價High NA EUV大戰！ 台積電最快2028年A14P製程啟用
- 陳玉娟／新竹
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隨著先進製程、先進封裝技術加速推進與大多數客戶群受制成本高昂而難以轉單，無其他更好選擇下，台積電持續拉開與三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）的差距。
半導體設備業者表示，三星、英特爾仍未放棄彎道超車希望，仍重金購入數台高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV），老神在在的台積電其實也完成首波採購計畫。
台積電擬定High NA EUV世代藍圖（Roadmap），計劃在2027年第3季正式量產的A14世代現身，但並非首代A14，而是由之後的升級改良版，如A14P正式啟用，時程約落在2028年。
大量採購計畫確立下，台積電持續穩坐ASML最大客戶，也是中國市場發展持續受到箝制的ASML，未來營運成長動能關鍵。
已成為台積電主要對手的英特爾，於2024年4月搶先宣布位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成業界首台High NA EUV組裝。
此台由ASML供應的EXE:5000微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程。此設備將投影印刷成像到晶圓的光學設計進行改造，明顯提升下世代處理器的圖像解析度和尺寸縮放。
High NA EUV為新世代極紫外光微影技術，使用人工的13.5奈米光波長。此一光波長是利用強大的雷射光束，照射加熱至將近攝氏22萬度的錫滴上而產生，此溫度高出太陽表面平均溫度40倍。光束從含電路圖案模板的光罩中反射，再穿過高精度鏡組打造的先進光學系統。
數值孔徑（Numerical Aperture；NA）為衡量光收集和聚焦能力的重要指標。High NA EUV微影設備藉由光學元件設計的改善，大幅提升圖案解析度和縮小電晶體尺寸。
然而要進一步製造尺寸更小的電晶體，仍需要全新的電晶體結構和相關製程步驟，因此英特爾在整合首台High NA EUV微影設備的同時，也積極開發其他相關技術。
面對英特爾、三星搶先下單ASML的High NA EUV設備，英特爾並已完成首台組裝，備受關注的台積電並未主動釋出太多消息。
然在5月下旬時，台積電董事長魏哲家與經營團隊前往荷蘭總部拜訪ASML、蔡司等供應鏈的消息主動曝光，據了解，台積電此行目的除全面了解要價3.8億美元的High NA EUV設備技術外，也與多家合作夥伴討論報價與後續維修、零組件更換等各項條件與支援度。
當中，盛傳由於台積電掌控絕對市佔優勢，也是EUV設備下單量最多的客戶，且近期隨著半導景氣逐步復甦，3奈米產能滿載與預計2025年第4季量產的2奈米製程客戶訂單陸續落袋，終於重啟EUV設備拉貨動能，估計此波新單規模約達70台，因此已與ASML談妥下世代EUV設備銷售折扣，並確立了未來5年製程技術與推進時程。
據設備業者指出，據台積電規劃，A14將於2026年上半進行風險試產，最快2027年第3季量產，現已完成EUV與High NA EUV世代首階段採購計畫；A14量產初期，設備仍會以第三代標準型EUV設備為主，型號為NXE:3800E，0.33數值孔徑透鏡，效能較舊型號NXE:3600D進一步提升，在此之前，NXE:3800E已先導入支援2奈米世代。
而預計在改良升級版，如A14P世代，將正式採用High NA EUV設備，包括EXE：5000及EXE：5200，而在2030年後的A10更先進世代中，將全面導入High NA EUV，進一步改善先進製程技術成本與效能。
隨著台積電持續加速2奈米、A16、A14及A10製程世代，掌握大部分客戶訂單，實現大量生產目標，除了ASML、應材等國際大廠外，包括帆宣、家登、汎銓、中砂、宜特與閎康等台EUV設備供應鏈可望迎來新一波成長動能。
責任編輯：陳奭璁
