在中國建廠量產還申請專利 三星前高管外洩DRAM技術總值達32億美元 智慧應用 影音
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在中國建廠量產還申請專利 三星前高管外洩DRAM技術總值達32億美元

  • 江承諭綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)前高管崔珍奭日前因將DRAM製程技術資料外流至中國,再度遭到法院下令羈押,且進一步牽涉30多名研究人員。據調查外流技術價值達4.3兆韓元(約32億美元),且涉案人士持續在中國申請相關專利。

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