中國嚴勒控管SiC現斷層 擁「路條」即擁8吋？
- 黃女瑛／台北
中國第三類半導體碳化矽（SiC）長晶2024年有效突破良率瓶頸，使基板供給充裕、甚至供過於求，供應鏈欲乘勝追擊從6吋升至8吋。不過，8吋可能並非照著6吋劇本發展，現下多數其實已暗踩煞車。中國SiC火熱十年以上，使官方多次出手降溫。2...
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