記憶體減產度寒冬 台廠鴨子滑水布局新技術
- 韓青秀／台北
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為了避免庫存跌價損失，各家記憶體大廠紛紛採取減產及大幅降低資本支出來應對產業低潮，台系記憶體廠如旺宏、華邦雖已跟進減產風潮。
但新技術研發推進動作並未停歇，利用減產空出的資源轉移給技術開發，加快新技術推出時程，旺宏192層3D NAND試產品進度提前，華邦電醞釀20奈米DRAM準備試產，且NOR研發也將推進至45奈米製程。
旺宏從2022年下半減產20~25%，雖然2023年第1季減產幅度縮小，但Flash或ROM的終端需求疲軟，加上先前通路大量囤積庫存仍有待去化，對於庫存消化速度較難樂觀。
旺宏2022年資本支出從原訂新台幣140億元下修至106億元，2023年資本支出約近100億元，但針對5B新廠規劃已區分新技術量產、與產能擴產的不同導入順序。
若是用來擴產的機台，將向設備商要求延後拉貨，但針對先進技術研發的機台，則要求提早導入，對於廠房硬體建設的進度則依照原訂進度推動。
旺宏表示，2023年減產措施將會因應市況機動調整，但閒置產線動能與資源將撥給技術研發使用，藉由增加12吋廠的產線運作數據，以加快3D NOR及3D NAND開發速度。
其中，96層3D NAND已進入量產，開始接受客戶訂單，預計2023年中將可望展開量產，是產品的進度也比原先預期超微提前，至於3D NOR製程較為複雜，預計2024年將有成果展現。
無論是3D NAND或3D NOR，都將規劃搭配於記憶體運算功能的應用，可望優先導入於車用市場，由於3D NOR能做到高密度的2Gb和4Gb產品，將是旺宏未來重大突破的秘密武器。
華邦電2022年第4季台中廠投片減少3~4成，預計2~3月投片量將逐次增加，高雄廠也將從第1季起帶來營收貢獻，月產能1.05萬片將推向全產能運作，預計25S奈米製程將在下半年明顯放量，並加強新製程的推進，包括20奈米DRAM及45奈米NOR Flash。
受到市況低迷影響，華邦電高雄廠第二階段量產時程推遲，預計擴充計畫將在2024年第1季啟動，從2023年底開始裝機及試產，預計增加至1.4萬片，目標將是大量轉進至20奈米新製程。
華邦電表示，20奈米製程的良率改善順利，新產品可望很快在高雄廠開發成功，進入新製程節點的大躍進，未來將推出DDR4、LPDDR4等產品。
雖然台中廠獲利穩定，但高雄廠初期量產25S奈米的成本較高，且新廠折舊攤提較大，僅有1.05萬片產能仍未達到經濟規模，必須加緊建置20奈米製程，並調整產品組合進行擇優生產，未來將能全面供應4Gb及8Gb規格，對於導入SoC或高密度產品將更有競爭力。
台中廠預計將推進NOR Flash 45奈米，由於45奈米已逼近NOR物理特性極限，預計2023年6月試產，並規劃推出全系列產品，受惠於die尺寸更小，打入終端應用將更有優勢，預期2024年將帶來很大成長。
南亞科對2023年資本支出持續保守，其中，設備投資減幅仍高達5成，主要以新廠營建支出佔大宗，目前新製程推動進度也沒有改變，期望在導入新製程及新產品，未來1~2年將能挹注公司改善競爭力。
責任編輯：朱原弘
