NVIDIA新晶片延遲打亂算盤 三星HBM面子沒贏、賺了裡子
- 韓青秀／台北
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三星電子（Samsung Electronics）何時啟動供貨HBM3E給NVIDIA一直是外界關注焦點，三星雖然還未證實此事，但另一個管道的急單需求卻讓三星成為最大受益者。
NVIDIA的新AI晶片出貨延遲，傳出出貨時間恐將延後3個月，雖然相關AI伺服器供應鏈認為，對營運影響及衝擊有限，但積極要打入NVIDIA供應HBM3E的三星電子卻是福禍難料，隨著大客戶新品供應延後，恐將波及三星加入供貨行列的如意算盤，
不過近來業界也傳出，隨著中國CSP（Cloud Service Provider）業者擔憂美國下達禁令管制，紛紛提前大量囤貨HBM庫存，雖然三星在檯面上未能通過NVIDIA認證，有傷記憶體龍頭大哥的尊嚴，但中系客戶的急單需求，已為三星帶來豐厚的利潤。
記憶體業界人士指出，NVIDIA的Blackwell傳出設計缺陷影響出貨進度，打亂了三星原定第3季通過認證出貨的如意算盤。
而三星供貨HBM3E的最大意義，在於NVIDIA希望藉由增加更多產能供應，藉此壓抑現有HBM供應商的價格，故何時供貨的考量點並非單純出自於技術或散熱是否過關，更多的是基於商業策略的考量，取決於市場動態調整的變化，隨著2024年下半新一代旗艦GB200出貨進度延遲，增加更多HBM供應的必要性也將重新考慮。
受惠於AI商機帶來紅利，記憶體大廠營運持續復甦成長，市場預期，在HBM需求急增以及DDR5滲透率提升帶動下，整體DRAM產品均價將持續上漲，2024年平均漲幅約達5~6成以上，儘管基期已拉高，但2025年仍有機會維持3~4成的漲幅，HBM將是直接牽動DRAM產業供需及價格走勢的關鍵。
據估計，8層堆疊的HBM平均價格約較DDR5約高出5倍，而業界HBM的良率仍有很大的改善空間，以及AI伺服器推動記憶體需求增加，帶動HBM在整體DRAM產能及產值的比重逐年提升，預計2025年在DRAM總產能比重將超過10%，而產值貢獻將可望超過30%以上。
因應AI算力的重要性與日俱增，業界頻頻傳出，美國可能將祭出管制新規，不排除限制記憶體業者向中國出口HBM措施，導致華為、百度等中系大廠更加積極囤貨，或輾轉透過不同管道大力採購。
但以DRAM三大廠而言，美光（Micron）如今仍面臨中國禁令限制，在中國市場影響力大幅降低，加上本身HBM產能規模最小，無法且無力經營中國HBM市場。
至於SK海力士（SK Hynix）作為NVIDIA的HBM首要供應商，HBM產能幾乎被大客戶綁死，產能分配額度早已排滿2025年，使得三星趁機大啖中國HBM囤貨商機。
市場傳出，由於中國業者擴大對AI相關晶片採購，三星2024年上半的HBM 晶片營收貢獻約有3成來自中國；相較於NVIDIA對供應商一貫的強勢作風，中系客戶面臨美國禁令的不確定壓力，加上本土HBM自製能力尚未到位，其議價空間將比NVIDIA更具誘因。
儘管先前業界傳出，三星可望在第3季順利通過NVIDIA認證後，將立即啟動量產供貨，但三星對外仍頻頻否認傳聞，讓相關供應鏈業者霧裡看花，進而揣測可能與中國市場銷售供應有關。
另一方面，美系CSP大廠也不願AI晶片長期遭到NVIDIA壟斷把持，並有意與超微（AMD）共同開發下一代產品，雖然AMD未來數年市佔率仍無法正面抗衡NVIDIA，但三星已打入AMD供應鏈，因而確保HBM3E新品的應用出海口。
雖然中國記憶體業者如長鑫存儲積極發展HBM，甚至已開發出相關樣品，並啟動新廠建造，母公司睿力集成也有意藉著地方政府支持，發展HBM封裝所需的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)技術。
至於武漢新芯也有意從NOR Flash跨足HBM，計劃以打造國產HBM產品為目標，但中國業界人士認為，中國本土HBM的良率與技術發展仍遠遠落後三大DRAM廠，估計仍需發展2~3年才有望看到成果，若不顧生產成本及量產良率等因素，只求國家政策的宣示意義，終究不利於產業正常發展。
責任編輯：陳奭璁
