EPC推出具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET

EPC推出採用緊凑型QFN封裝（3 mm x 5 mm）的100 V、1 mOhm GaN FET（EPC2361），助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm （EPC2361）。 這是具有低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代産品相比，功率密度提高了一倍。

EPC2361的RDS（on）典型值只有1 mOhm，採用耐熱的QFN封裝，頂部裸露，封裝面積只有3 mm x 5 mm。 EPC2361的RDS（on）最大值x 面積僅為15 mΩ*mm2  – 比等效100 V矽MOSFET的體積小超過五倍。

憑藉超低導通電阻，EPC2361可在電源轉換系統中實現更高的功率密度和更高的效率，從而降低能耗和散熱。 它為多種應用諸如高功率 PSU AC/DC同步整流、資料中心的高頻 DC/DC 轉換、電動汽車、機器人、無人機和太陽能 MPPT 的馬達控制器，帶來突破性的效能。

宜普電源轉換公司的執行長兼聯合創辦人Alex Lidow表示，EPC的新型1 mΩ GaN FET 突破了氮化鎵技術的極限，助力客戶創建更高效、更小和更可靠的電力電子系統。

EPC90156開發板是一款採用半橋EPC2361 GaN FET ，專為100 V最大元件電壓和xx A最大輸出電流而設計，旨在簡化功率系統設計人員對氮化鎵元件的評估過程，以加快產品的上市時間。 此板的尺寸為2吋 x 2吋（50.8 mm x 50.8 mm），專為實現最佳開關效能而設計，而且包含所有關鍵組件以便於評估。

若要訂購EPC產品，可透過EPC的授權經銷合作夥伴購買或可以直接向EPC網站訂購。