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英飛凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET以更高的功率密度和效率樹立標準

  • 范菩盈台北

英飛凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET以更高的功率密度和效率樹立業界新標準。英飛凌
英飛凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET以更高的功率密度和效率樹立業界新標準。英飛凌

英飛凌科技股份有限公司推出OptiMOS 6 200 V MOSFET產品系列,使馬達驅動應用取得了飛躍性的進展。這一全新產品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動堆高機等應用提供出色的效能。新款MOSFET產品的導通損耗和開關效能都更加優化,降低了電磁干擾(EMI)和開關損耗,有益於用於伺服器、電信、儲能系統(ESS)、音訊、太陽能等用途的各種開關應用。此外,憑藉寬安全工作區(SOA)和業界領先的RDS(on),該產品系列非常適合電池管理系統等靜態開關應用。全新推出的英飛凌OptiMOS 6 200 V產品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統可靠性,樹立了新的業界標準。

與上一代OptiMOS 3相比,OptiMOS 6 200 V產品組合具有更加強大的技術特性,其RDS(on)降低了42%,有助於減少傳導損耗和提高輸出功率。在二極體效能方面,OptiMOS 6 200 V的柔度(softness)大幅提升至OptiMOS 3的三倍多,且 Qrr(typ)降低了89%,使開關和EMI效能均得到明顯改善。該技術還提升了寄生電容(Coss 和 Crss),線性度減少了開關期間的振盪並降低了電壓過沖。更緊密的VGS(th) 分布和低傳導特性有助MOSFET並聯和電流均流,使溫度變得更加均勻且減少了並聯MOSFET 的數量。

OptiMOS 6 200 V產品具有更出色的SOA並達到J-STD-020標準中的MSL 1等級。該半導體產品組合符合 RoHS 規範且不含鉛,滿足當前業界標準的要求。

OptiMOS 6 200 V產品提供多種封裝,包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P,適用於多種應用。所有型號目前均已開放訂購。欲了解更多資訊,敬請瀏覽英飛凌官網

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