英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定義AI伺服器電源功率密度和效率

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定義AI伺服器電源的功率密度和效率。英飛凌

隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高階GPU的能源需求激增。到2030年，每顆高階GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份有限公司開發電壓650V以下的SiC MOSFET產品。基於2024年早先發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，英飛凌再推出全新CoolSiC MOSFET 400V系列。全新MOSFET產品組合專為AI伺服器的AC／DC級開發，是對英飛凌近期公布的PSU路線圖的補充。該系列元件還適用於太陽能和儲能系統（ESS）、變頻馬達控制、工業和輔助電源供應（SMPS）以及住宅建築固態斷路器。

英飛凌電源系統業務線負責人Richard Kuncic表示：「英飛凌提供的豐富高性能 MOSFET 和GaN 電晶體產品組合，能夠滿足 AI 伺服器電源對設計和空間的嚴苛刻要求。我們致力於透過CoolSiC MOSFET 400 V G2等先進產品為客戶提供支援，推動先進AI應用實現最高能效。」

與既有650V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的導通和開關損耗。這款AI伺服器電源供應器的AC／DC級採用多級PFC，功率密度達到100 W／in³ 以上，並且效率達到99.5%，較使用650V SiC MOSFET 的解決方案提高了0.3個百分點。此外，由於在 DC／DC級採用了CoolGaN電晶體，其系統解決方案得以完善。透過這一高性能MOSFET與電晶體組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產品組合共包含10款產品：5款RDS（on）級（11至45 mΩ）產品採用開爾文源TOLL和 D²PAK-7封裝以及 .XT封裝互連技術。在Tvj = 25°C時，其汲極-源極擊穿電壓為400V，因此非常適合用於 2級和 3級轉換器以及同步整流。這些元件在嚴苛的開關條件下具有很高的穩健性，並且通過了100%的雪崩測試。高度穩健的CoolSiC技術與 .XT互連技術相結合，使這些半導體元件能夠應對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態，並且憑藉連接技術和低正 RDS（on）溫度係數，即便在接面溫度較高的工作條件下，也能發揮出色的性能。

CoolSiC MOSFET 400V產品組合的工程樣品現已發布，並將於2024年10月開始量產。更多資訊，敬請瀏覽CoolSiC飛凌官網。如欲進一步瞭解英飛凌SiC、GaN和Si的AI電源供應器解決方案，敬請瀏覽官網網站。