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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定義AI伺服器電源功率密度和效率

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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定義AI伺服器電源的功率密度和效率。英飛凌
英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V重新定義AI伺服器電源的功率密度和效率。英飛凌

隨著人工智慧(AI)處理器對功率的要求日益提高,伺服器電源(PSU)必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高階GPU的能源需求激增。到2030年,每顆高階GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現,促使英飛凌科技股份有限公司開發電壓650V以下的SiC MOSFET產品。基於2024年早先發布的第二代(G2)CoolSiCTM技術,英飛凌再推出全新CoolSiC MOSFET 400V系列。全新MOSFET產品組合專為AI伺服器的AC/DC級開發,是對英飛凌近期公布的PSU路線圖的補充。該系列元件還適用於太陽能和儲能系統(ESS)、變頻馬達控制、工業和輔助電源供應(SMPS)以及住宅建築固態斷路器。

英飛凌電源系統業務線負責人Richard Kuncic表示:「英飛凌提供的豐富高性能 MOSFET 和GaN 電晶體產品組合,能夠滿足 AI 伺服器電源對設計和空間的嚴苛刻要求。我們致力於透過CoolSiC MOSFET 400 V G2等先進產品為客戶提供支援,推動先進AI應用實現最高能效。」

與既有650V SiC和Si MOSFET相比,新系列具有超低的導通和開關損耗。這款AI伺服器電源供應器的AC/DC級採用多級PFC,功率密度達到100 W/in³ 以上,並且效率達到99.5%,較使用650V SiC MOSFET 的解決方案提高了0.3個百分點。此外,由於在 DC/DC級採用了CoolGaN電晶體,其系統解決方案得以完善。透過這一高性能MOSFET與電晶體組合,該電源可提供8千瓦以上的功率,功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。

全新MOSFET產品組合共包含10款產品:5款RDS(on)級(11至45 mΩ)產品採用開爾文源TOLL和 D²PAK-7封裝以及 .XT封裝互連技術。在Tvj = 25°C時,其汲極-源極擊穿電壓為400V,因此非常適合用於 2級和 3級轉換器以及同步整流。這些元件在嚴苛的開關條件下具有很高的穩健性,並且通過了100%的雪崩測試。高度穩健的CoolSiC技術與 .XT互連技術相結合,使這些半導體元件能夠應對AI處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態,並且憑藉連接技術和低正 RDS(on)溫度係數,即便在接面溫度較高的工作條件下,也能發揮出色的性能。

CoolSiC MOSFET 400V產品組合的工程樣品現已發布,並將於2024年10月開始量產。更多資訊,敬請瀏覽CoolSiC飛凌官網。如欲進一步瞭解英飛凌SiC、GaN和Si的AI電源供應器解決方案,敬請瀏覽官網網站