環球晶圓展出最新寬能隙半導體元件關鍵材料

環球晶圓將參加4月13至16日由國際半導體產業協會(SEMI)和中華民國對外貿易發展協會(TAITRA)聯合主辦的「LED TAIWAN 2016」。此次展會中，環球晶圓將在功率元件製造專區展出寬能隙半導體元件(Wide Bandgap Semiconductor Device)關鍵材料最新之研發成果。

環球晶圓為全球前六大半導體矽晶圓材料供應商，向來積極深耕具前瞻性之基板材料，此次專題展覽，將完整呈現環球晶圓致力發展寬能隙功率半導體關鍵材料在功率半導體的產品研發與技術推進。

展會中，環球晶圓將依功率元件的應用功率，分別展出矽(Si)、氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)的產品。矽產品將展出3~12吋晶圓，包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI；氮化鎵產品將展出6吋及8吋Crack Free GaN/Si；以及碳化矽產品將展出晶球及雙拋晶片。並將於展場上說明功率半導體市場需求的關鍵材料、技術及產品等相關資訊。

此外，環球晶圓營運暨研發副總經理徐文慶博士，將於4/13(三)13:30於LED TAIWAN舉行的功率元件創新技術發表會上，發表「寬能隙功率半導體的關鍵材料」的主題演講，將針對寬能隙功率半導體元件之關鍵材料，進行技術探討、產品應用領域介紹，並介紹環球晶圓於功率半導體全域應用的產品布局及市場地位。