旺宏五篇論文發表於IEDM

被視為微電子界奧林匹克盛會的國際電子元件大會IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)，每年皆吸引全球各地最傑出的研究成果在會中發表，該會議除了提供技術交流平臺之外，同時亦為展現研發實力的櫥窗。旺宏電子於2009 IEDM共發表了六篇技術論文，若以第一作者(First Author)計算，旺宏則有五篇論文發表，篇數居台灣業界及學術研究機構之冠，在全世界之業界、學界中也屬名列前茅。

旺宏從2001年開始於IEDM發表技術論文，近年來獲選篇數持續成長，今年的發表篇數為歷年來最高，六篇論文約佔台灣總發表篇數二十二篇的三成。在IEDM大會「Memory Technology-Flash Memory 」的討論主題所獲選之七篇論文中，旺宏有三篇在會中發表，囊括Flash Memory半場的討論內容。 六篇技術論文，其中一篇為IEDM大會特別邀請旺宏發表的專文(Reliability of Barrier Engineered Charge Trapping Devices for Sub-30nm NAND Flash，論文編號：31.5)，主要是探討未來採用charge trapping技術為主流的非揮發性記憶體，在微縮至30奈米以下所可能面臨的問題及挑戰，並提出了極為前瞻的解決方案。其他技術論文則分別針對採用薄膜電晶體(Thin Film Transistor)作為未來發展3D記憶體的可行性，以及有關相變化記憶體的可靠性模式(Reliability Model)等主題進行深入的探討。

2009 IEDM於上月7 日至9日在美國巴爾的摩(Baltimore)舉辦。IEDM自1955年以來已舉辦五十五屆，每年會中皆有來自世界各地包括半導體設計、製造、模組及電子元件等領域最傑出的研究成果發表，並預測未來的發展趨勢。與會者皆是國際級領導大廠，大會每年在上千件投稿中，評選出約250篇來自世界各地最新且深具影響性之研究成果在會中發表。