台灣安智展現在地化精神 以研發深入客戶需求

半導體產業跟隨著摩爾定律推移，將積體電路元件持續的縮小。傳統的黃光微影製程是一種由上至下(top down)的方式，元件的線路設計，藉由光罩及曝光步驟轉印在晶圓基板上。隨著元件微縮及堆疊密度增加，微影製程接近物理極限，導致了設計、製程開發和光罩的成本以指數函數型態急劇上升。因此為了降低半導體製造成本，另一個方式是藉由導入由下而上的製程，使用「智慧型化學品」來擴展和增強半導體黃光微影設備功能。

安智(AZ)電子材料與知名大廠的研發團隊共同開發一種以塊狀聚合物為基礎的材料，可以應用在與傳統的半導體微影設備相容的定向自組裝DSA(Directed Self-Assembly)製程。

DSA製程僅需要塗佈和熱固化塊狀聚合物及中性底層(Neutral Underlay)，是一種與線寬(feature size)無關的創新解決方案。DSA的低成本及高效能技術吸引學術界與工業界的大量關注，積極投入研究開發，已經被視為可以滿足16奈米及11奈米半間距(half-pitch)設計要求的主要潛在製程。

隨著電子產品將會是以體積小、速度快、耗能低並且將多項功能匯集於同一晶片的需求日益增加，使得封裝技術在半導體產業鏈中扮演的角色日趨重要。利用三個維度布局方式來製造3D IC晶片，也就是透過垂直與水平整合來大量提高元件的集積密度，並以晶片層的堆疊來分散IC中擁擠的程度，可以讓IC中電晶體的密度持續增加下去。

封測技術的未來發展將會朝向微型化的3D IC晶片堆疊技術的課題研發。安智電子材料(AZ)，致力於研發及生產高品質的厚膜光阻劑，涵蓋的產品範圍從傳統封裝技術使用的凸塊(bumping)光阻劑，配合MEMS(微機電)封裝用的光阻劑，到領先業界的技術，全世界封測大廠未來的3D堆疊矽穿孔(TSV)技術發展所需的化學增幅型光阻劑，均有完整的產品布局。

安智電子材料(AZ)除了不斷強化產品的研發創新，更積極落實在地化生產、接近客戶的理念，2012年8月在新竹湖口工廠興建落成一座生產廠，用來製造應用於半導體IC製程的水溶性電子化學品，將以最先進的產品製程、嚴格的品質管制、快速的倉儲配送及提供客戶即時有效技術支援，來因應台灣半導體產業的持續成長。