宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體

宜普電源轉換公司宣布推出EPC2100—第一個可供商用的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是6mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5mΩ。

高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降壓轉換器可取得最優直流？直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6毫米(mm)x2.3 毫米，功率密度更高。

宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長表示，現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例「單片式eGaN半橋元件系列」，可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域，集成多個分立器件變得更為重要以實現高系統效率及高功率密度。

EPC9036開發板 的尺寸為2英吋乘2英吋，包含一個EPC2100集成半橋元件，採用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能並設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。